N-FET bez diody

Zpráva

Jenda_KL · #1 Příspěvek od **Jenda_KL** » 26 lis 2011, 21:01

věděl by někdo o N-FETu tak 80V/20A bez diody, pro spínací režim s co nejmenší ztrátou při sepnutí?

radekrd · #2 Příspěvek od **radekrd** » 26 lis 2011, 21:44

MOSFET bez diody budeš hledat asi těžko. V běžných technologiích výroby tam dioda vždycky vznikne. Jedině snad FET se samostatně vyvedenou substrátovou diodou, ale pro velké výkony to bude docela rarita.

Jenda_KL · #3 Příspěvek od **Jenda_KL** » 26 lis 2011, 21:53

To jsem si přesně myslel. Taky mě napadlo dát sériově diodu (ve směru toho N), ale ty ztráty na ní.

Andrea · #4 Příspěvek od **Andrea** » 26 lis 2011, 22:00

Ty diody jsou tam vždy dvě, mezi Sourcem a substrátem a mezi Drainem a substrátem. Spojením substrátu se Sourcem (kvůli homogenitě pole od Gate) se ta jedna vyzkratuje a pak tam straší ta druhá. Takže ani tranzistor se samostatně vyvedeným substrátem není řešení, protože se ten substrát stejně bude muset připojit na nulový potenciál budicího obvodu a na něj bude pravděpodobně připojený i Source.

AmarokCZ · #5 Příspěvek od **AmarokCZ** » 26 lis 2011, 22:01

Můžeš dát dva MOSFETy "proti sobě". Ale je to docela pitomá a složitá záležitost, takže radši použij sériovou diodu.