mtajovsky píše:Změnou hodnot kapacit jste zvýšil stupeň zpětné vazby a proto se napětí zvýšilo. V prvním případě bylo navíc výstupní napětí zkresleno vlivem V-A charakteritiky přechodu B-E. Ve druhém případě je napětí na krystalu odděleno od výstupního napětí velmi málo, vazební kapacita 1000 pF představuje na kmitočtu 3,1 MHz reaktanci jen 51 ohmů. Takže na výstupu máte téměř to samé co na krystalu - skoro čistou sinusovku. Ovšem není to příliš dobré, velmi se bude projevovat změna zátěže. Lepší by bylo použít první případ a přidat laděný oddělovací stupeň.
dobrý den děkuji za příspěvek, oba dva případy jsou z tohoto schemaka, jakto že se po změně hodnot kapcit již neprojevuje přechodová charakteristika B-E? jakou bych měl použít bazební kapacitu když chci býstupní signál použít do báze dalšího tranzistoru který bude sloužit jako AM modulátor? moc děkuji za pomoc