Bipolar vs MOS

Základní principy, funkce, rovnice, zapojení - t.j. vše, co byste měli vědět, než se pustíte do praktické realizace elektronického zařízení

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
Duvsan
Příspěvky: 6120
Registrován: 21 úno 2009, 00:00
Bydliště: Okres Nitra

Bipolar vs MOS

#1 Příspěvek od Duvsan »

Zase dostanem sprda. Videl som zdroj, tuším dokonca s UC3842, tranzistor bol bipolár. Kedysi bývali v zdrojoch bipoláre, od istého času skoro výlučne MOSy. Ale v RKS sú bipoláry, MOS som tuším zahliadol v nejakom monitore. Čo je merítkom, či je vhodnejší bipolár, alebo MOS? Dík
Uživatelský avatar
EKKAR
Příspěvky: 35012
Registrován: 16 bře 2005, 00:00
Bydliště: Česká Třebová, JN89FW21

#2 Příspěvek od EKKAR »

Požadavek na účinnost zdroje - bipoláry spotřebovávají určitý budicí výkon, který je do určitý pracovní frekvence vyšší než u stejně výkonných FETů. Nabití a vybití kapacity hradla u FETů od určitýho kmitočtu spínání vyrovnává svou energetickou spotřebou proudový požadavek na buzení báze u bipolárů, takže pak zůstává už jen výhoda menšího ztrátovýho výkonu na otevřeným kanále FETu - úbytek napětí na jejich Rdson v řádu miliohmů je menší, než saturační napětí plně otevřenýho bipoláru.
Nasliněný prst na svorkovnici domovního rozvaděče: Jó, paninko, máte tam ty Voltíky všecky...
A kutilmile - nelituju tě :mrgreen: :mrgreen: !!!
Uživatelský avatar
feliz_navidad
Příspěvky: 959
Registrován: 15 říj 2009, 00:00

#3 Příspěvek od feliz_navidad »

Vysokonapěťové MOSFET mají zpravidla srovnatelný úbytek napětí v sepnutém stavu jako saturovaný bipolár. Hlavní výhodou je podstatně vyšší rychlost spínání (resp. rozpínání) proti bipolárům a z toho plynoucí nižší ztráty při spínání na vyšších frekvencích. MOSFET mají spínací a rozpínací časy v řádech 10-100ns, bipoláry 100ns-1us.
Uživatelský avatar
Duvsan
Příspěvky: 6120
Registrován: 21 úno 2009, 00:00
Bydliště: Okres Nitra

#4 Příspěvek od Duvsan »

Takže rozumiem tomu tak, že FET je vhodnejší do vyšších frekvencií a do väčších prúdov. RKS nie je tak rýchly a strata na zopnutom bipoláre nie je väčšia, ako by bola u FETu. V zdroji sa FETy presadili len vďaka rýchlosti. Správne?
Ale v zdrojoch pre počítače sú tuším bipoláry. Prečo? Kvôli výkonom (prúdom)?
Uživatelský avatar
feliz_navidad
Příspěvky: 959
Registrován: 15 říj 2009, 00:00

#5 Příspěvek od feliz_navidad »

1. Při spínání malých napětí (typicky UPS) mají MOSFETy jen výhody - rychlé, malý odpor odpor kanálu v sepnutém stavu.
2. Při spínání velkých napětí (síťové zdroje) už jsou po stránce ztrát v sepnutém stavu MOSFETy srovnatelné s bipoláry, zůstává ale jejich výhoda vyšší rychlosti a tím nižších spínacích ztrát..
U PC zdrojů se v jednočinném zapojení používají MOSFETy, u dvojčinných jsou bipoláry z důvodu použitých IO - jednoduché buzení pomocí transformátoru.
Uživatelský avatar
Duvsan
Příspěvky: 6120
Registrován: 21 úno 2009, 00:00
Bydliště: Okres Nitra

#6 Příspěvek od Duvsan »

feliz_navidad píše:...u dvojčinných jsou bipoláry z důvodu použitých IO - jednoduché buzení pomocí transformátoru.

A to je u FETů problém?
Uživatelský avatar
feliz_navidad
Příspěvky: 959
Registrován: 15 říj 2009, 00:00

#7 Příspěvek od feliz_navidad »

Zas tak velký ne, trochu by se muselo upravit buzení gate, protože TL494 a jeho klony mají výstupy jen s jedním tranzistorem. Jde hlavně o cenu, a u levných ATX 200-300W to takhle v podstatě stačilo - pracovní frekvence nebyla zas tak vysoká.
Uživatelský avatar
Duvsan
Příspěvky: 6120
Registrován: 21 úno 2009, 00:00
Bydliště: Okres Nitra

#8 Příspěvek od Duvsan »

Tak jo. Děkuju
Odpovědět

Zpět na „Teorie“