0451: Měření atributů součástek a V-A charakteristik.(modrá)

Zpráva

#16 Příspěvek od **tomasjedno** » 19 dub 2013, 22:54

EKKAR píše:...bipolární tranzistor schopnej i inverzní funkce (zapojení s vyměněným emitorem na místě kolektoru a opačně), i když právě technologie výroby vede k odlišnostem funkce v tomhle režimu - nižší zesílení, nižší mezní kmitočet atd. ..

No, možná bych extra zdůraznil rozdíl v průrazných napětích přechodů BE a CE, obzvlášť u tranzistorů pro vyšší napětí. Tenhle aspekt má myslím nejvýraznější dopad na nesymetrii konstrukce.

#17 Příspěvek od **EKKAR** » 19 dub 2013, 23:19

Samozřejmě - ale jak píšu na předešlý stránce, nemá cenu vykládat volovi o sobotě, když jde v pátek na jatka...

WLAB · #18 Příspěvek od **WLAB** » 20 dub 2013, 02:01

Uz z tech formulaci je videt, absolutni a nedohnatelny nedostatek citu pro vec.... Krom toho jr v kazdy durhy vete nejaka fakticka blbost nebo nepresnost.

Mimochodem, tuhle jsi tu resil mereni tranzistoru a pracovni bod... dnes se na pracovni bod ptas zas... co si o tom myslet?

Proste se to nejak zkus naucit, oni ti to asi nakonec stejne namazou, jako spouste tobe podobnejch.... Ale nepocitej s tim, ze by te mohla obvodarina ci automatizace nekdy zivit....

Fredy00 · #19 Příspěvek od **Fredy00** » 20 dub 2013, 09:58

Automatizace je podle tebe neperspektivní?

WLAB · #20 Příspěvek od **WLAB** » 20 dub 2013, 10:32

Coz o to, perspektivni je +- oboji, ale aby te to zivilo jinak nez, ze budes dealovat nejaky regulacni systemy nebo elektroniku, nesmis se v tom tak placat.... Na druhou stranu, pokud mas obchodni talent, tak ti k tomu muzou tyhle jekesi znalosti treba stacit.

Fredy00 · #21 Příspěvek od **Fredy00** » 20 dub 2013, 14:49

[quote="EKKAR"][/quote]

Naopak, toto chápu naprosto bezproblémů, mě dělá problémy pochopit nějaké hory vzorců, ke kterým nemáme vysvětlivky, ale toto, to je o hmotné sestavě, a na tom není co k nechápání.

Hele, ještě potřebuju rady v této oblasti:

Vrstva "N", (doNor), má naprosti tomu díky dotaci fosforem tu vlastnost, že naopak má neustále jeden elektron "k dispozici" a může ho posílat do vrstvy P.

*Já jen nějak nevím, zda se musí splnit ještě nějaká podmínka, nebo prostě toto stačí, a proud elektronů může přes PN přechod téct.

A pak něco o pracovním bodu tranzistoiru, protože to, co sem napsal do úvodního textu, asi není úplně celé, a o tom bipolárním tranzistoru jako o zesilovači.

PS: existzují pro bi i uni tranzistory v obou případech jejich PNP i NPN verze? A proč se stále vyrábějí PNP, když technické důvody k jejich existenci už pominylu?

#22 Příspěvek od **EKKAR** » 20 dub 2013, 14:52

Fredy00 píše:Automatizace je podle tebe neperspektivní?

Samotná automatizace perspektivu má - co ji ale postrádá, je tvoje účast v její tvorrbě, návrhu nebo servise s výjimkou už zmíněnýho obchodního čunění se kolem - na to abys mohl dělat prodejce nepotřebuješ hlubší elektroznalosti. Ale s tím, co tady měsíc před maturou předvádíš VSKUTKU na nic lepšího nemáš. A pod to se se vší bastlířskou vážností podepíšu.

#23 Příspěvek od **EKKAR** » 20 dub 2013, 15:03

Když vezmeš 2 oblasti v monokrystalu, každou jinak dotovanou, nic se neděje - krystal je navenek elektronetrální, protože ty počty elektronů se ± vyrovnají. Aby tekl proud, musíš připojit vnější napětí jako ke každýmu vodiči - jak velkej proud poteče, určuje napětí zdroje a součet imprdelancí v obvodu - jak praví zákon našeho drahýho doktora Georga Simona Ohma...

To že PN přechod má při jedný polaritě jinou imprdelanci než při opačný je způsobeno právě tím, čím je která oblast dotovaná = jestli má přebytek elektronů nebo děr a ke který polaritě zdroje ji připojíš.

No a proč se vyrábějí komplementy NPN i PNP? No jednoduše proto, že to JDE - a je to výhodnější mít v určitým zapojení obě vodivosti.

Platí to i v unipolární technologii, kde jsou FETy jak s N-kanálem, tak s P-kanálem - jedny se otevírají přivedením kladnýho napětí na Gate vůči samotnýmu kanálu Drain-Source, druhý naopak spojením Gate se záporným potenciálem - vždycky přes další impedanci v daným obvodu, aby nedošlo k poškození izolační bariéry hradla.

Fredy00 · #24 Příspěvek od **Fredy00** » 20 dub 2013, 15:18

EKKAR píše:Když vezmeš 2 oblasti v monokrystalu, každou jinak dotovanou, nic se neděje - krystal je navenek elektronetrální, protože ty počty elektronů se ± vyrovnají. Aby tekl proud, musíš připojit vnější napětí jako ke každýmu vodiči - jak velkej proud poteče, určuje napětí zdroje a součet imprdelancí v obvodu - jak praví zákon našeho drahýho doktora Georga Simona Ohma...

To že PN přechod má při jedný polaritě jinou imprdelanci než při opačný je způsobeno právě tím, čím je která oblast dotovaná = jestli má přebytek elektronů nebo děr a ke který polaritě zdroje ji připojíš.

No a proč se vyrábějí komplementy NPN i PNP? No jednoduše proto, že to JDE - a je to výhodnější mít v určitým zapojení obě vodivosti.

Platí to i v unipolární technologii, kde jsou FETy jak s N-kanálem, tak s P-kanálem - jedny se otevírají přivedením kladnýho napětí na Gate vůči samotnýmu kanálu Drain-Source, druhý naopak spojením Gate se záporným potenciálem - vždycky přes další impedanci v daným obvodu, aby nedošlo k poškození izolační bariéry hradla.

Co je to "další" impedance?

Tranzsotry fungují i při nápajení střídavinou? Bez jakéhokoliv usměrnění?

OZ se taky daj napáje střídavinou, nebo jen SS?

workhard · #25 Příspěvek od **workhard** » 20 dub 2013, 15:20

Bože...

#26 Příspěvek od **EKKAR** » 20 dub 2013, 15:50

Obávám se, že hranice mojí trpělivosti bylo právě dosaženo - pokud se ještě nevyčerpaly limity u obou hlavních moderatizátorů Hilla a Killroye, pak k tomu veeeelice brzo dojde taky - a pak to bude BANán jak malovanej...

Já už prostě NEMÁM SLOV. A zcela výjimečně musím dát za pravdu Andree - TOHLE je opravdu horší než hotentot...

#27 Příspěvek od **Sendyx** » 20 dub 2013, 16:14

Chlapec by měl začít od základů... a názorně.
Doporučuji třeba instruktážní videa jako
http://www.youtube.com/watch?v=jj2rv3rpb78

Teprv po důsledném pochopení základů lze pokračovat dále.

Fredy00 · #28 Příspěvek od **Fredy00** » 20 dub 2013, 16:27

Sendyx píše:Chlapec by měl začít od základů... a názorně.
Doporučuji třeba instruktážní videa jako
http://www.youtube.com/watch?v=jj2rv3rpb78

Teprv po důsledném pochopení základů lze pokračovat dále.

Hmm... to je jakási antičástice k Richardu Feynmanovi.

Fredy00 · #29 Příspěvek od **Fredy00** » 20 dub 2013, 16:32

Hele, já třeba vím, že tranzistor může zesilovat mluvené slovo, ale nikdy nám nebylo vysvětleno jak.

Na emitor přivedu zachycený signál, čili střídavinu, a stejnosměrným proudem na bázi u Bi budu zesilovat signál na emitoru.

Je to správně?

Ale lze na bázi přivést i střídavinu? A Uni se se přivádí na bázi napětí, jistě, ale je možno přivést na kolektor proud? Je to možné takto kombinovat?

Atlan · #30 Příspěvek od **Atlan** » 20 dub 2013, 18:33

Ja uz neviem, jednosmernym napetim sa nastavi pracovny pod tranzistora, to uz bolo prebrane, striedavy signal sposobi to ze pri kladnej polvlne sa napetie ktore urcuje pracovny bod zvecsi, a pri zapornej polvlne striedaveho signalu zmensi, vysledkom je zmena napetia na vystupe z tranzistora ktora bude dana zosilnenim.
Teraz je to spravne hotentocky napisane aby si pochopil, osobne si myslim ze ked ta na tej skole trpeli 4 roky, tak maturu spravis.