Spojování MOSFETů paralelně a kmitání. *Vyřešeno*

Problémy s návrhem, konstrukcí, zapojením, realizací elektronických zařízení

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 9442
Registrován: 14 úno 2005, 00:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

Spojování MOSFETů paralelně a kmitání. *Vyřešeno*

#1 Příspěvek od forbidden »

Hraju si s jednou konstrukcí (el. zátěž) a potřeboval jsem rozdělit vyzářený teplo na dva tranzistory. Spojil jsem je teda paralelně. Akorát mi to šíleně kmitalo, zjistil jsem, že když budím gaty odděleně, každej přímo z výstupu OZ, ale přes vlastní odpor, nekmitá to. Čím to je? Myslel jsem, že to bude jedno, ale zřejmě není.

Díky za rady.
Přílohy
elz.gif
Paralelní řazení MOSFETů
(8.08 KiB) Staženo 144 x
Naposledy upravil(a) forbidden dne 22 srp 2013, 21:17, celkem upraveno 1 x.
Uživatelský avatar
Sendyx
Příspěvky: 12454
Registrován: 05 čer 2005, 00:00
Bydliště: Ostrava

#2 Příspěvek od Sendyx »

Nastuduj si co je gate stopper...
Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 9442
Registrován: 14 úno 2005, 00:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#3 Příspěvek od forbidden »

Dík za nakopnutí. Relevantní info k "gate stopper" jsem sice nevygooglil (spíš se to týkalo elektronek), ale našel jsem dva dokumenty, který se týkají paralelizace MOSFETů. 1, 2, kdyby to někoho zajímalo. Teď už vím, že musí mít každej svůj gate odpor. :) Jo, ještě tento.
Uživatelský avatar
BOBOBO
Příspěvky: 20890
Registrován: 25 úno 2008, 00:00
Bydliště: Rychnovsko

#4 Příspěvek od BOBOBO »

Ale tak do 100R , pak to kmitá vesele dál . :D
Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 9442
Registrován: 14 úno 2005, 00:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#5 Příspěvek od forbidden »

Zatím mám společnej 1 kΩ a ke každýmu G taky 1 kΩ. Nekmitá to, nevyžaduju od toho žádný rychlý dynamický změny, spíš pomalejší odezvy. Nemám to ale zatím prověřený dostatečně, protože šuplíkový jetý tranzistory mají mírně rozdílný prahový napětí Ugs. Takže musím koupit jiný a něco vybrat.
Uživatelský avatar
BOBOBO
Příspěvky: 20890
Registrován: 25 úno 2008, 00:00
Bydliště: Rychnovsko

#6 Příspěvek od BOBOBO »

No já jsem hleděl sem . 03/10KE
Přílohy
MOSy.JPG
(155.21 KiB) Staženo 335 x
Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 9442
Registrován: 14 úno 2005, 00:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#7 Příspěvek od forbidden »

Díky za článek, jak budu mít vybraný tranzistory, ještě si s tím pohraju.
Uživatelský avatar
ferro0
Příspěvky: 695
Registrován: 31 kvě 2011, 00:00
Bydliště: Jablonecko

#8 Příspěvek od ferro0 »

forbidden: Stavel jsem tvoji el. zatez, kterou mas na strankach:
http://www.tosi.cz/elektro/el_zatez.html
A potreboval bych pouzit dva mosfety paralelne z duvodu, ze chladic uchladi ztratu do cca 100W. Az to budes mit vyreseny aby to nekmitalo tak se s nama o to podel . Dik.
Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 9442
Registrován: 14 úno 2005, 00:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#9 Příspěvek od forbidden »

Kmitání jsem vyřešil, nakonec jsem musel použít ale 10 Ω pro každej gate. Přesně jak poznamenal BOBOBO. Nicméně problém se jen posunul. Při provozování v lineárním režimu bych potřeboval absolutně stejný parametry, čehož asi nikdy nedosáhnu, takto se výkon nerozdělí rovnoměrně, jeden z tranzistorů se bude přehřívat, druhej bude mít veget. Musel bych to řešit dvěma samostatnýma budičema a snímat proud v každé větvi zvlášť. Do toho se mi už teď nechce, takže jsem to vyřešil jedním silnějším MOSFETem - IXFN106N20 v pouzdře SOT227B.
Uživatelský avatar
BOBOBO
Příspěvky: 20890
Registrován: 25 úno 2008, 00:00
Bydliště: Rychnovsko

#10 Příspěvek od BOBOBO »

Ono víš co , zde je oproti bipolárům výhoda . FETy s přibývající teplotou zvyšují odpor a tak alespoň částečně se přenese ztráta vedle . :D
Uživatelský avatar
forbidden
Příspěvky: 9442
Registrován: 14 úno 2005, 00:00
Bydliště: Brno (JN89GF)
Kontaktovat uživatele:

#11 Příspěvek od forbidden »

Ano, když to stihne. Při experimentech jsem omylem pustil do té dvojice odhadem kolem 500 W a nestihl se chudák ani ohřát. :D Protavil se do skoro zkratu a poprvé v životě jsem si spálil pojistku na primární straně zdroje (měl jsem vyplej limit proudu). Po tomhle mě experimentování přestalo bavit a objednal jsem ten silnější kousek.
Uživatelský avatar
FERYACT
Příspěvky: 2285
Registrován: 20 dub 2005, 00:00
Bydliště: Krnov

#12 Příspěvek od FERYACT »

Chtěl jsem jenom přidat, že se nám vyplatilo dávat do "S" odpor.Umožňovalo
to měřit proud v každém transistoru zvlášť.Dávali jsme je i více než dva.
Abychom transistory rychleji a spolehlivěji zavírali dávali jsme na gate záporné napětí.
Odpovědět

Zpět na „Řešení problémů s různými konstrukcemi“