Radioaktivní zářiče

Zpráva

#31 Příspěvek od **rnbw** » 08 srp 2013, 21:20

Polovodice vydrzia prekvapivo dlho:
http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... ic&t=11649

Otkundes · #32 Příspěvek od **Otkundes** » 09 srp 2013, 05:21

Takže ono se to tady již kdysi probíralo. Dík za odkaz!

Habesan · #33 Příspěvek od **Habesan** » 09 srp 2013, 08:22

Nejnepříznivější odhady říkaly, že kdyby to spustili, tak je pár minut životnost celého lidstva.

Otkundes · #34 Příspěvek od **Otkundes** » 09 srp 2013, 17:58

Tak o těch katastrofických scénářích a předpokladech vím. Je mi též jasné, že jaderné zbraně by nebyly používány na likvidaci našich jednotek, rozmístěných někde v pohraničí. Bylo by to příliš drahé. Na to v té době stačíly konvenční zbraně. Šlo mi spíše o to, jak ten přístroj vůbec něco může měřit s předepsanou přesností, když na jeho tranzistory v době měření, bude působit ionizující gama záření. Alfu a betu odstíní pouzdro přístroje. Přístroj nebyl určen ke sledování úrovně radiace v blízkosti jaderného úderu, ale pro vyhodnocení radiační situace v terénu, případně zasaženém zejména radioaktivním spadem, sekundární radiací a ke kontrole stupně zamoření lidí, techniky, atd.
Jenže, tady se již vzdalujeme od původního tématu a myslím, že Custovo vysvětlení z odkazu od rnbw, je postačující.

Split · #35 Příspěvek od **Split** » 10 srp 2013, 08:32

Ku Custovmu vyjadreniu spred 6 rokov snad len jedina poznamka: nepovedal by som ze zariadenie znesie toho viac, pokial nie je zapnute... pri ucinku ziarenia treba rozlisovat kratkodobe a dlhodobe efekty na polovodicove struktury... pri kratkodobych vznikaju tzv Single event effects teda sa to charakterizovat ako ista chyba, ktora vznikne iba v okamihu posobenia ziarenia... ak sa nahromadia nosice naboja vytvorene posobenim ionizujuceho ziarenia niekde v strukture polovodica nastavaju dlhodobe efekty ako zvysenie prahoveho napatia (v pripade MOS struktur) popr. prerazenie izolacnych vrstiev SiO2 v MOS strukture... ale tento jav poskodzovania nastava aj bez pritomnosti napatia a povedal by som ze prave pri posobeni el. pola je dakedy elektronika odolnejsia lebo cast vzniknutych nosicov naboja sa zucastni toku el. naboja, ktory tam za vypnuteho stavu nie je... a teda znizuje sa moznost "ulozenia" toho naboja niekde v polovodicovej strukture

Otkundes · #36 Příspěvek od **Otkundes** » 10 srp 2013, 09:33

V IT-65 jsem kdysi viděl germaniové plošné bipolární tranzistory. Teď si neumím vzpomenout, zda to byla řada 10xNU70, nebo GC51x. To však nebude podstatné. Z Vašeho příspěvku plyne, že ionizujíí záření ovlivní činnost tranzistoru v provozu. A jsme u toho: jakou hodnotu mi pak změří měřící přístroj, jehož součástky jsou za provozu ovlivněny ionizujícím gama zářením? Možná i proto, byla deklarovaná přesnost intenzimetru až ±20%, při teplotách kolem 25 °C, nebo až ±50%, při jiné teplotě okolí (tuším -30 až +50 °C).
Další problém je, zda po ozáření, se materiál tranzistoru (pouzdro, přívody, Ge, patka) a jeho okolí v přístroji, "nevybudí" a nestanou se sekundárními zářiči, které budou zpětně přesnost přístroje ovlivňovat.
Kdysi nám to bylo vysvětlováno tak, že gama záření patří do skupiny těch částicových (korpuskulárních) záření. Při zásahu PN přechodu, v místě dopadu částice, prý dojde k místní destrukci přechodu, čímž tímto místem začne unikat trvalý proud. To má za následek zvýšení závěrných proudů a celkové zhoršení parametrů tranzistoru, až po jeho destrukci.
Možná je dnešní křemíková technologie odolnější a vědecké poznatky jinde, než v dobách tzv. studené války...

Split · #37 Příspěvek od **Split** » 10 srp 2013, 10:05

treba si uvedomit ze tranzistory ako aj vsetky polovodicove suciastky su vzdy za kazdeho okamihu vystavene ucinkom kozmickeho ziarenia... cast z nich je zachytena v puzdre a cast z nich prejde...

sekundarne vybudenie je nepravdepodobne co sa tyka kremika (teda aspon o kremikovych ziaricoch som nepocul)... zelezo v jeho kovovom obale by mohlo byt ale zelezo je vcelku stabilne takze akykolvek foton schyta tak ho vrati hned spat (s najvacsou pravdepodobnostou)...

ano, to co pisete ze dochadza k postupnemu zhorseniu parametrov tranzistora je pravda ale tie tranzistory by mali zniest toho dost, aby to nejako zacalo ovplyvnovat ich presnost...

dnes uz existuju vyrobcovia suciastok specialne pre taketo aplikacie (suciastky su oznacene ako "radiation hardened" teda posilnene voci vplyvu ziarenia) avsak stale sa to skuma, kedze aj japonci mali problem s robotmi vo fukushime..

pridavam clanok, ktory som vypracoval ked som sa podielal na podobnom vyskume v Nemecku v GSI... je tam jeden pekny graf, ktory ukazuje ako sa meni charakteristika MOS tranzistora so zvysovanim davky (dose)

http://www.sendspace.com/file/3cefnp