Dovolte amatérskou otázku: Potřebuji "pohánět" sériový L-C rezonanční obvod na frekvenci cca 3500Hz polomostem (nejde o TC). Jakou topologii zvolit, PNP-NPN, nebo oba tranzistory polomostu stejné vodivosti? Mám návod k obojímu a nevím, které zapojení vybrat, jaké jsou pro a proti obou obvodů.
Děkuji...
Jde o přenos signálu indukční vazbou. Napájení 12V, výkon předpokládám 15-20W.
Tady mi jde ale hlavně o porovnání komplementárního polomostu oproti kvazikomplementárnímu polomostu.
Protože 3,5 kHz a 12V se jeví celkem bez problémů, řešení bude možné jak s bipoláry, tak s fety, komplementární i kvazi. U bipolárů se kvazikomplementární řešení používalo hlavně kvůli nedostupnosti PNP tranzistorů stejných parametrů, jako dostupných NPN, u fetů se používá dvojice nfetů proto, že mají lepší vlastnosti, než pfety, podívej se třeba na kapacity Cgs obdobných n a p fetů, tím jsou pak menší spínací ztráty. Osobně bych šel cestou dvojice n fetů a budiče, který zároveň ošetří dead time, třeba takový LM5104 lze řídít už rovnou z brány MCU, nebo TTL signálem z hradel, nic víc netřeba.
Děkuji moc, to jsem potřeboval vědět.
Ještě potřebuji radu, jaké dát ochranné diody paralelně ke koncovým tranzistorům. Byla mi doporučována schottkyho dioda kvůli rychlosti, ale ty mají zase menší závěrné napětí. V případě bipolárů by např. 1n4007 nestačila?
3,5kHz není ještě "závadný" kmitočet , zvláště , bude-li to sinus . Pokud se nechystáš indukčnost za chodu odpojovat , ani bych tam nic nedával . A ten kmitočet opravdu vezme každý nf konec . Pro 20W bych se s ním nestavěl .
Bude to "krmit" MCU pravoúhlým signálem.
V simulátoru bylo na L-C "nakmitáno" kolem 150V a když jsem prstem zkoušel teplotu tranzistorů, docela to štípalo (či spíše brnělo).
Mnou použité tranzistory BD243c jsou do 100V. Proto jsem diody raději použil.