Tranzistor jako spínač

[PavelXX12]

Chtěl bych se zeptat, kolikrát větší proud se volí do báze tranzistoru, když má pracovat jako spínač (spínat např. relé).
Kdesi jsem četl, že když vypočítám bázový proud např. 5mA, tak pro spolehlivé sepnutí zátěže by tranzistorem měl procházet proud několikrát větší.

[chapp]

Ahoj, bezne se pouziva i 10x saturacni proud. Ale musis si uvedomit ze takhle prebuzenej tranzistor se bude pro zmenu pomalejs vypinat.

[gepard]

Chtěl bych se zeptat, kolikrát větší proud se volí do báze tranzistoru, když má pracovat jako spínač (spínat např. relé).
Kdesi jsem četl, že když vypočítám bázový proud např. 5mA, tak pro spolehlivé sepnutí zátěže by tranzistorem měl procházet proud několikrát větší.

Zdar, tranzistorem procházející proud C-E (Ic), proudové zesílení (hfe) - Ic podle zátěže, hfe - katalog . Proud do báze, potřebný k sepnutí tranzistoru, vypočítáš Ic/hfe. To proudové zesílení (pro saturaci) - hfe - volit spíše 2x menší než je udávané. Je to odzkoušeno a v poho...

[Kucik]

Záleží na konkrétnim tranzistoru a zapojení. Udělej si na výstupní charakteristice pracovní přímku a proud si zvol takovej aby se tranzistor dostal do pásma saturace, do pásma zahražení se dostane v případě že do báze nic neteče, resp. skoro nic neteče. Nebo si dej do báze trimr a vodzkoušej si to.

[jandu]

Pre účely spínača je výhodné tranzistor zapojiť opačne, t.j. zameniť emitor s kolektorom. V staršej literatúre je uvedený aj výpočet IB, ak nájdem, pridám to sem.

[breta1]

Pre účely spínača je výhodné tranzistor zapojiť opačne, t.j. zameniť emitor s kolektorom. V staršej literatúre je uvedený aj výpočet IB, ak nájdem, pridám to sem.

To snad proboha není myšleno vážně, apríl je až za deset dní. Snad jen v nějakých extra divokých aplikacích.
Jinak se nikdy nic nezkazí, pokud se pro spínací aplikace proud do báze zvolí cca 10x menší než kolektorový. S uváděným parametrem h21e bych vůbec nepočítal - je to dynamický proudový zesilovací činitel v určitém pracovním bodě, který vůbec neřeší spínací vlastnosti. Tam je nutné používat statický proudový zesilovací činitel B (ale ten někdy v katalogu nenajdeme). A ten činitel B může být klidně i více než 100x menší než h21e!

[dolac]

Keď to má byť spínač, jednoznačne doporučuje použiť CMOS tranzistor.
Minimálny spínací odpor, minimálne straty a rýchly spínací čas. Ibaže by si chcel spínať aspoň 500V a viac

[jandu]

to breta1:
to inverzné zapojenia fakt funguje /RK 1973, č.6/, ale inak s tebou ohľadom parametra h21e súhlasím.

Použitie MOSFET je iba jedno ďaľšie možné riešenie. Elektronika je pružná a variovateľná. niekedy chodia aj nemožné zapojenia, inokedy s tutovými obvodmi sa človek natrápi až-až.

[chapp]

To take neni uplne pravda:) CMOS je ve srovnani s bipolarem asi tak 10x pomalejsi. A ten vnitrni odpor mozna jo, ale musis mu na G pustit poradny napeti:). Jinac emitor a kolektor se doopravdy nekdy zamenuje, ale jen v pripade ze pres kolektor potece nepatrny proud;)

[WLAB]

Pro spinaci ucely h21 nebrat, je to diferencialni parametr z linearni oblasti. Navic miva rozptyl klidne 8x. Osobne davam proud do baze 10 az 20x nizsi nez Ic. U vykonovejch tranzistoru i 5x.

U CMOSu je treba pocitat s tim, ze pro rychle vypinani jsou do gate potreba relativne velke proudove spicky (zejmena u vetsich tranzistoru, amper neni zadna mira), aby se odsal/dopravil naboj do gate. Lze to odhadnout z parametru Qctot, ktery se uvadi v katalogu (pro zapojeni se spolecnym sourcem) a ktery zahrnuje vliv jak Cgs tak Cgd vcetne dynamickeho prechodu.

[zombi]

Trocha teorie http://alzat.szm.sk/Ttl_mos/Tr_spin/tr_spin.htm

[gepard]

Pre účely spínača je výhodné tranzistor zapojiť opačne, t.j. zameniť emitor s kolektorom. V staršej literatúre je uvedený aj výpočet IB, ak nájdem, pridám to sem.

To snad proboha není myšleno vážně, apríl je až za deset dní. Snad jen v nějakých extra divokých aplikacích.
Jinak se nikdy nic nezkazí, pokud se pro spínací aplikace proud do báze zvolí cca 10x menší než kolektorový. S uváděným parametrem h21e bych vůbec nepočítal - je to dynamický proudový zesilovací činitel v určitém pracovním bodě, který vůbec neřeší spínací vlastnosti. Tam je nutné používat statický proudový zesilovací činitel B (ale ten někdy v katalogu nenajdeme). A ten činitel B může být klidně i více než 100x menší než h21e!

Zdař, tak stačí si přečíst něco málo o polovodičích - pasáž TRANZISTOR. Není co řešit, mám to mnohokráte odzkoušeno, bez problémů....
http://ok1ike.c-a-v.com/web1/soubory/vl ... oniky4.htm

[Kucik]

Že se to pro malé proudy zaměnit dá (mám to odzkoušeno, zejména tranzistory kf507 jsou opravdu odolné) je jedna věc...druhá věc je, jestli to má nějaké výhody proti zapojení pro které je tranzistor určen. Možná v ňákejch speciálních případech, nebo pro tranzistory z dob "pionýrských" ale pro zapojení s dnešním tranzistorem jako spínač pochybuju.

[breta1]

Zdař, tak stačí si přečíst něco málo o polovodičích - pasáž TRANZISTOR. Není co řešit, mám to mnohokráte odzkoušeno, bez problémů....
http://ok1ike.c-a-v.com/web1/soubory/vl ... oniky4.htm

[/quote]

Ať čtu jak čtu, v pasáži TRANZISTOR o nějakém inverzním režimu není ani zmínka. Ale k uvedenému problému : Já netvrdím, že to vůbec nefunguje, ale uniká mi smysl tohoto užití - položím pár základních otázek -má při tom způsobu použití tranzistor menší saturační napětí, stačí k jeho vybuzení menší bázový proud, má při rozepínání např. indukční zátěže vyšší průrazné napětí, má menší difuzní kapacitu B-E určující rychlost sepnutí a rozepnutí? Chtěl bych zjistit alespoň jedinou vhodnější vlastost při tomto použití. Třeba opravdu existují nějaké neobvykle výhodné aplikace s tímto zapojením, já o nich nevím, taky nemusím vědět všechno a tak se nechám rád poučit.

[Návštěvník]

Jednoduchá odpověď. Inverzní zapojení se používalo v případech, kdy bylo nutné dosáhnout velmi nízkého saturačního napětí. Proudový zesilovací činitel je nižší, napěťová odolnost myslím také. Když nebyly k dispozici lepší spínače, tak nebylo jiné řešení.