Transformátor 230/80V 1A - nabíjení kondenzátoru na 80V

Zpráva

GeorgeB · #1 Příspěvek od **GeorgeB** » 23 bře 2007, 19:47

Mám transformátor 230/80V 1 A a potřebuji po usměrnění nabít kondenzátor asi 10uF na napětí 80V. Z kondenzátoru bude odebrán impulzně náboj. Po odebrání náboje je třeba kondenzátor opět nabít. Jde mi o regulaci nabíjení kondenzátoru,aby se napětí zastavilo na 80V. Doba nabíjení nesmí překročit asi 4ms. Jinak impulsní vybíjení bude řízeno z mikroprocesoru,tak je možné i nabíjení spouštět z mikroprocesoru. Děkuji za rady.

ACDC · #2 Příspěvek od **ACDC** » 23 bře 2007, 20:56

Zapoj paralélně s elytem zenerku, a nabíjej to přes obpor, zenerku bych dal výkonější.

GeorgeB · #3 Příspěvek od **GeorgeB** » 23 bře 2007, 22:08

ACDC píše:Zapoj paralélně s elytem zenerku, a nabíjej to přes obpor, zenerku bych dal výkonější.

Jelikož bude ten kondenzátor vybíjen téměř na nulu a vybitý bude držen nějakou dobu,tak myslím, že by byl ten odpor značně výkonově namáhaný. A kdybych zvětšil jeho odpor,tak by se zas nestíhal kondenzátor nabít včas.
Už zkouším použít zapojení s darlingtonovým tranzisotem NPN, který bude nabíjet kondenzátor a bude řízen optočlenem(kvůli rozdílu napěťových úrovní řídící části a výkonové části) Zem bude společná, tak asi použiju komparátor, který tranzistor uzavře, když napětí na kondenzátoru přesáhne 80V. A například logický hradlo zabrání,aby proud do obvodu nešel v případě, když je kondenzátor vybíjen( ochrana tranzistoru).

PavelFF · #4 Příspěvek od **PavelFF** » 23 bře 2007, 23:08

Když použiješ PNP spínač, nepotřebuješ žádný optočlen.
Na vstupu spínače bude třebas 20x větší kapacita než 10uF za spínačem. Tím se po sepnutí stačí 10uF dobít za 4ms bez poklesu napětí a nebudeš potřebovat žádný komparátor, ale normální stabilizátor na 80V (třeba jen ze zenerkou v bázi výkonového tranzistoru), který bude plynule dobíjet menším proudem vstupní velkou kapacitu. Střední hodnota dobíjecího proudu závisí na poměru trvání dob sepnutí a vypnutí. Jaká bude?

Spínač PNP mám na mysli udělat podobně, jako tranzistory T4 s T3 ve schématu na obr. 2 v odkazu. Mikroprocesorem ho budeš vypínat přes T3.
Je to jen námět. Možná bys mohl vyjevit, na co to bude.

PavelFF · #5 Příspěvek od **PavelFF** » 23 bře 2007, 23:22

Na odkaz jsem zapomněl:

http://www.zajic.cz/esr/esr_metr.pdf

jasin · #6 Příspěvek od **jasin** » 24 bře 2007, 21:00

Především, po usměrnění bude z 80 Vst stejnosměrných 112 Vss.
Zvlnění má při dvoucestném usměrnění periodu 10ms. Takže bude potřeba stabilizace, jinak by těch 4ms začínalo vždy z jiného napětí.

Nejjednodušší by bylo nabíjet 10M na 160 V a těch tvých 10 M vždycky prostě připojit paralelně. Napětí se tím rozdělí mezi oba kondy a pokud byl jeden prázdný, tak budou mít oba 80 V. Za pomocí této metody se dá zvolit napětí a kapacita, aby ti vždy vyšlo 80 V. Například, když bychom vycházeli ze zmíněných 112 V , tak je potřeba použít kond s kapacitou: 10*80*80/112/112=5,1 neboli 5,1 uF
Na spínacím prvku se tím rozptýlí 4 Ws. Takže pokud toto sepnutí proběhne třeba desetkrát za vteřinu, tak musíš uchladit 40 W.

#7 Příspěvek od **Sendyx** » 24 bře 2007, 21:12

To je příliš komplikované, stačí stabilizátor na cca 81V, nabíjecí odpor a spínací tranzistor. Závisí, s jakou přesností se to má nabít.

GeorgeB · #8 Příspěvek od **GeorgeB** » 24 bře 2007, 23:33

No zkusil jsem to podle PavlaFF. Klasicky stabilizátor napětí se zenerkou v bázi tranzistoru. Ze stabilizovaného napětí 80V je nabíjen kondenzátor PNP Darlingtonem. Kondenzátor je nabíjen pouze v době, kdy není z kondenzátoru odebírán žádný náboj, takže se aspoň sníží ztrátový výkon na PNP Darlingtonu.
Předběžné schéma asi takto:
Obrázek

Ale i tak nevím jestli to v praxi bude dobře fungovat. Maximální frekvence vybíjení kondenzátoru bude asi 100Hz. A minimální požadovaná doba na nabití kondenzátoru asi 5ms.

PavelFF · #9 Příspěvek od **PavelFF** » 25 bře 2007, 00:09

Především máš napěťově poddimenzované všechny tři tranzistory, ale jinak by to mělo chodit. Je třeba to odzkoušet, při vývoji se vždycky nějaký zádrhel vyskytne. Doladit hodnoty odporů tak, aby byly tranzistory vždycky dokonale sepnuté či dokonale vypnuté apod.

Výkonově to nebude tak strašné. Na nabití 10uF na 80V za 5ms je teoreticky potřeba konstantní proud 0,16A , takže střední proud přes Q3
bude zhruba poloviční (jestli v tom nemám nějakou chybu). Ztráta na Q3 bude pár watů.

Paralelně k D5 bys mohl přidat nějaký ten elyt, aby bylo vyhlazenější napětí 80V. Nevím, jestli bys jako ochranu Q3 po vypnutí trafa neměl dát antiparalelně ke Q3 diodu mezi C a E.

GeorgeB · #10 Příspěvek od **GeorgeB** » 25 bře 2007, 00:31

PavelFF:O tom poddimenzování tranzistorů vím.Potřeboval jsem to jen z důvodu simulace,tak jsem narychlo sestavil tohle schéma. Hodnoty odporů taky dopočítám.Napětí 80V nemusí být vyhlazené,ale místo na desce pro elyt udělám i pro antiparalelní diodu. Díky za rady.

PavelFF · #11 Příspěvek od **PavelFF** » 25 bře 2007, 00:58

Především máš napěťově poddimenzované všechny tři tranzistory, ale jinak by to mělo chodit. Je třeba to odzkoušet, při vývoji se vždycky nějaký zádrhel vyskytne. Doladit hodnoty odporů tak, aby byly tranzistory vždycky dokonale sepnuté či dokonale vypnuté apod.

Výkonově to nebude tak strašné. Na nabití 10uF na 80V za 5ms je teoreticky potřeba konstantní proud 0,16A , takže střední proud přes Q3
bude zhruba poloviční (jestli v tom nemám nějakou chybu). Ztráta na Q3 bude pár watů.

Paralelně k D5 bys mohl přidat nějaký ten elyt, aby bylo vyhlazenější napětí 80V. Nevím, jestli bys jako ochranu Q3 po vypnutí trafa neměl dát antiparalelně ke Q3 diodu mezi C a E.

PavelFF · #12 Příspěvek od **PavelFF** » 25 bře 2007, 01:03

To se nemělo stát. Jsem dal "aktualizovat" a už to tam bylo podruhé.

Díval jsem se do katalogového listu TIP122 a on v sobě už má odpory mezi B-E a taky antiparalelní diodu.
Myslel jsem, že diodu mají v sobě jen mosfety, ale ty to mají myslím jako z nouze ctnost, vedlejší produkt technologie.