Spínání výkonového MOSFET - výpočet odporu v Gate

Zpráva

raptor1811 · #1 Příspěvek od **raptor1811** » 18 úno 2015, 14:37

Zdravím,
potřeboval bych spínat výkonový MOSFET s N-kanálem (např. http://www.irf.com/product-info/datashe ... -7ppbf.pdf ) . Na spínání používám budič pro Half bridge. Jde mi o to, jak velký zvolit odpor mezi budičem a Gate tranzistoru. Jde to vůbec nějak vypočítat? Díky.

#2 Příspěvek od **forbidden** » 18 úno 2015, 14:45

Ten odpor se tam dává spíš abys nepřekročil špičkovej proud budiče. Odpor spolu s kapacitou gate způsobí pomalejší otevírání a zavírání, což je nežádoucí. S "velkým" odporem je to pak taky náchylnější k nežádoucímu sepnutí kvůli Millerovu efektu, nebo jak se to jmenuje. Dej tam tak 2,2, nebo 3,3 Ω, pokud to budič snese.

raptor1811 · #3 Příspěvek od **raptor1811** » 18 úno 2015, 14:54

Já slyšel teda názor, že to spínání musí být omezeně rychlé i kdybych jsem měl sebelepší budič. Jde o nějakou indukčnost mezi G-S, která by při rychlém sepnutí MOSFET zničila. O tom něco nevíte?

#4 Příspěvek od **forbidden** » 18 úno 2015, 15:08

O tomto faktoru jsem zatím neslyšel. Je možný, že úplně bez odporu by tam mohly být nějaký zákmity, odpor je ztlumí. Při hodně vysoké frekvenci spínání a neomezeným proudu se to bude asi taky zahřívat procházejícím proudem. Asi by to chtělo navrhnout s ohledem na konkrétní aplikaci.

raptor1811 · #5 Příspěvek od **raptor1811** » 18 úno 2015, 15:14

Já slyšel, že pokud je ten odpor moc malý, bude na Gate vidět překmit (kvůli té indukčnosti). Také jsem někde viděl, že ten odpor prý uvádí výrobce toho tranzistoru, ale to jsem nikde v datasheetu nenašel.

#6 Příspěvek od **forbidden** » 18 úno 2015, 15:17

No to bude, ale pokud nebude tak velkej, aby gate prorazil, anebo aby zase způsobil přivření, tak se nic neděje. Chce to fakt konkrétní aplikaci, ale hlavně pak taky zkontrolovat na osciloskopu.

raptor1811 · #7 Příspěvek od **raptor1811** » 18 úno 2015, 15:21

Jasně, na čem velikost toho odporu závisí? Jen na tranzistoru? Na napětí Uds ? Ještě na něčem jiném? když beru v úvahu že mám dostatečně výkonný budič?

ZdenekHQ · #8 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 18 úno 2015, 16:37

Pokud se bude kapacita gate "nabíjet/vybíjet" příliš tvrdým budičem, dostává na hranách pěkně zabrat. Je to jako každý kondenzátor.

Proto ten odpor, aby se nepřekročil max. proud gate. Vedlejším efektem jsou samozřejmě větší ztráty při spínání, ale ono asi nic není dokonalý.

BOBOBO · #9 Příspěvek od **BOBOBO** » 19 úno 2015, 05:50

Vůbec pojednání o fetech je v ARB , ročník tak 85-95 . Je tam perfektně , na naše účely používání , ke čtení mne tehdá dotlačila Andrea , popsána funkce , buzení i paralelní použití . Dával jsem sem odkaz i tabulku , ale nyní to nemohu najít .... Prostě v AR hledat . Je to zrovna v první čtvtině časáku .