Výpočet Ueb

Zpráva

TubeGuru · #16 Příspěvek od **TubeGuru** » 07 srp 2015, 23:43

Zdar, chápu je fakt horko a lidé to psychicky nezvládají, ale mohlo by Ti pomoci:
http://robodoupe.cz/wp-content/uploads/ ... lopate.pdf

lesana87 · #17 Příspěvek od **lesana87** » 08 srp 2015, 08:32

Termíny "hodnota tranzistoru" ani "spínací napětí" tam nikde nevidím. Tak to asi nebylo na mě, co?

danhard · #18 Příspěvek od **danhard** » 08 srp 2015, 08:54

V tom původním odkazu bylo popsáno vše, včetně hodnoty tranistoru :lol:

http://www.gme.cz/bipolarni-tranzistor- ... 2-p210-018
http://www.gme.cz/img/cache/doc/210/018 ... heet-2.pdf

breta1 · #19 Příspěvek od **breta1** » 08 srp 2015, 10:33

Něco mi tady nehraje.
Třeba z toho druhého odkazu - v tabulce se uvádí max hodnota Uce(sat)=0,7V (při Ic =500mA, Ib=50mA), ale obrázek 4 při stejných podmínkách proudů udává Uce(sat) menší než 0,2V.
To jako se tak sichrujou nebo to blbě chápu?

lesana87 · #20 Příspěvek od **lesana87** » 08 srp 2015, 10:44

V tabulce je maximum a v grafech budou nejspíš typické hodnoty.

breta1 · #21 Příspěvek od **breta1** » 08 srp 2015, 10:52

Ano, psal jsem max hodnota Uce(sat), ale zarazila mě ta 300% tolerance.
To se pak něco dost blbě navrhuje.
Ale už jsem několikrát objevil v datašítech horší kraviny...

lesana87 · #22 Příspěvek od **lesana87** » 08 srp 2015, 11:23

breta1 píše:To se pak něco dost blbě navrhuje.

Tak ve srovnání třeba s házením písku lopatou to je určitě o dost složitější, možná proto se na to tolik let studuje.

FERYACT · #23 Příspěvek od **FERYACT** » 08 srp 2015, 15:00

Lesano omlouvám se, že jsem tě vykolejil abstraktním pojmem hodnota".Ta může být V,A Ohm,Kčs.Správně mělo být "napětí".Transistor spíná napětím
Uke, které může být v saturaci s napětím podstatně menším než 0,7V.Nějaký předřečník našel Usat v katalogu o velikosti 0.2V.Přitom každý se může během pár vteřin přesvědčit že je to pravda.
Sám jsem si podle Amara postavil voltmetr, který používal inverzního zapojení transistoru a ten měl spínací napětí Uek pár milivoltů.

TubeGuru · #24 Příspěvek od **TubeGuru** » 08 srp 2015, 17:59

Pro praktické použití tranzistoru je to skutečně tak, že se spíná proudem. Nepoteče-li do báze žádný proud, nepoteče ani žádný kolektorový proud. Ik=h21e*Ib.
Mimochodem název tohoto vlákna "výpočet Ueb" je nesprávný. Napětí báze-emitor není nutno počítat, je dáno materiálem přechodu b-e. Pro germanium je to typicky cca 0,45V a pro křemík cca 0,65V. Dá se samozřejmě taky vypočítat, to je ale asi spíš otázka fyziky polovodičů než obvodařiny.

lesana87 · #25 Příspěvek od **lesana87** » 08 srp 2015, 19:33

Myslím, že pan Laszlo Balogh z Texas Instruments by si dovolil nesouhlasit. Podle něj jsou bipolární i unipolární tranzistory řízeny stejně a to nábojem v prostoru řídicí elektrody. Liší se jen tím, že unipolární tranzistor ji má izolovanou, zatím co bipolární nemá.
www.radio-sensors.se/download/gate-driver2.pdf

#26 Příspěvek od **tomasjedno** » 08 srp 2015, 20:11

A já zas myslím, že pan Balogh si uvědomuje principiální rozdíly mezi FET a BT, on jen potřeboval obvodářům přiblížit to, že při rychlých spínacích dějích je třeba oba typy budit zdrojem o nízké impedanci. Jistě by neměl problém uznat, že ta řídící veličina, kterou tam ten náboj dostáváme, je u FETu napětí a u BT proud.

lesana87 · #27 Příspěvek od **lesana87** » 08 srp 2015, 20:31

V obou případech potřebujeme napětí, to vyvolá proud a proud tam donese náboj, nebo ne?

#28 Příspěvek od **tomasjedno** » 08 srp 2015, 21:21

V jednom případě tam potřebujeme nastříkat nositele náboje (a bez napětí se neobejdeme), ve druhém případě tam potřebujeme udělat napětí (a bez proudu se při tom neobejdeme). Ten zásadní rozdíl, co je primární a co je doprovodné, se ukáže ve statickém režimu, že.

Ale samozřejmě, oba mají tři nožičky a platí v nich div j + ∂ρ/∂t = 0, takže mezi nimi není rozdíl

lesana87 · #29 Příspěvek od **lesana87** » 08 srp 2015, 21:35

Já myslím, že pan Balogh nezjednodušuje, že opravdu je u obou řídicí veličinou náboj. U BJT se přímo ten řídicí náboj účastní vedení řízeného proudu, u FET se účastní vedení jeho "obraz" na druhé elektrodě kondenzátoru G-substrát.

TubeGuru · #30 Příspěvek od **TubeGuru** » 08 srp 2015, 22:16

Ale ano lesano87, jenže při řešení obvodů se nelze stále odvolávat na základní fyzikální principy. Pan tomasjedno to vysvětlil naprosto dostatečně. Pro ty, kteří to úplně nechápou to ještě shrnu asi na úrovni učiliště: Zatímco ve statickém režimu u polem řízených tranzistorů do elektrody "gate" neteče opravdu žádný proud (zanedbáme-li proud nedokonalostí izolantu - oxidu u MOS a závěrný proud hradla tam kde je izolantem přechod PN - FET) u dynamického režimu teče do řídící elektrody proud (jalový) omezený (při zanedbání vnějších RLC prvků) kapacitou hradla Cgs. U bipolárních tranzistorů ve většině případů (neuvažujeme vf aplikace s frekvencemi řádu MHz a GHz) teče do báze proud (činný) omezený (zase při zanedbání vnějších RLC prvků) jen dynamickým odporem (činným) přechodu b-e v daném pracovním bodu na A-V charakteristice přechodu PN. Jinak to nevidím a už ani nechci.