Elektronická zátěž

Zpráva

gepard · #31 Příspěvek od **gepard** » 09 lis 2015, 20:16

To barnodaj - určitě to nebyl příspěvek "mimo mísu". Každá rada drahá, jak se říká ... poznatky se cení!

Victronix · #32 Příspěvek od **Victronix** » 09 lis 2015, 22:02

Omlouvám se za časté příspěvky, ale nedá mi to. Prostě ten nejvhodnější tranzistor musím najít. Nechce se mi předělávat celou elektroniku a shánět další výkonové rezistory...
Nechápu jak může fungovat tento tranzistor FDL100N50F. Má úžasné parametry, které by pro tuto aplikaci vyhovovaly.
Teď mi dochází jak jsou totálně zcestné parametry výkonových součástek. Stačí dát součástce malý pouzdro.
2,5kW při 25°C a každý stupeň nahoru o 20W míň. I kdyby se chladilo kapalným dusíkem, tak přes to malý pouzdro TO264 půjde teplota přechodu nahoru jak prase. Pak stačí určit ta správná omezení.
Kurňa copak je nemožný sehnat jeden blbej výkonovej tranzistor?

barnodaj · #33 Příspěvek od **barnodaj** » 11 lis 2015, 19:33

Victronix píše:

Tranzistor IXFN80N50 by mohl být pro elektronickou zátěž vhodnější. Má širší pásmo regulace VGS. Má ovšem při Tj 125°C RDS(ON) cca. 0,122 Ohm, plus rezistor 0,1 Ohm rezistor v sérii, plus nějaké úbytky, to je 0,25 Ohm na celou elektronickou zátěž. Takže při 30A je celkový úbytek 7,5 V. Má velké pouzdro a na e-bayi se dá použitý za 400-500 sehnat.

Je otázkou na kolik si troufáš konstrukčně, existuje třeba proudový senzor:
http://www.farnell.com/datasheets/1934063.pdf
A není drahý, místo snímacího odporu proudu. Pokud jsou pravdivé charakteristiky v datašítech tak při paralelním řazení tranzistor MOSFET s větším proudem se ohřeje víc, vzroste mu el. odpor a proud jím klesne, mělo by se to samo uregulovat. A nebyly by třeba vyrovnávací odpory. Mosfety IXYS, o kterých se tu psalo výše mají odpor v otevřeném stavu kolem 4 mΩ, proudový senzor 1,1 mΩ úbytek napětí by byl podstatně menší.
Je to o čase, chuti něco zkusit sám, asi i o penězích.

Jenom jako tip: Ten senzor existuje hotový je sice jenom do 30A, ale třeba se někomu může hodit, není drahý...
http://www.dhgate.com/product/hot-sale- ... 1488293093

Victronix · #34 Příspěvek od **Victronix** » 11 lis 2015, 22:59

Nemám zkušenosti s MOSFETY v lineárním režimu. Podle předchozích příspěvků to rozložení výkonů mezi tranzistory,v paralelním zapojení, však nefunguje.
To, že mám v sérii rezistor 0,1 Ohm, mi nevadí. Nebudu tolik zatěžovat zdroje o tak malém napětí, aby mi to vadilo. Ba naopak. Na rezistoru se spálí více energie.
Jinak díky. O těchto proudových snímačích vím.
Ovšem nad výběrem toho nejvhodnějšího tranzistoru ještě přemýšlým. Těšil jsem se, že někdo zkušený poradí.

feliz_navidad · #35 Příspěvek od **feliz_navidad** » 12 lis 2015, 17:03

Victronix píše:Kurňa copak je nemožný sehnat jeden blbej výkonovej tranzistor?

Zapomeň na výkony víc jak 100W v lineárním režimu z jednoho tranzistoru. Bez ohledu na katalogové údaje je maximální trvalá ztráta při velmi dobrém nuceném chlazení cca 50-60W z TO247 a podobných pouzder.

Victronix · #36 Příspěvek od **Victronix** » 12 lis 2015, 17:16

feliz_navidad píše:Zapomeň na výkony víc jak 100W v lineárním režimu z jednoho tranzistoru. Bez ohledu na katalogové údaje je maximální trvalá ztráta při velmi dobrém nuceném chlazení cca 50-60W z TO247 a podobných pouzder.

Však já nemám podmínku TO247.

danhard · #37 Příspěvek od **danhard** » 12 lis 2015, 19:33

Celeron píše: ... Irf3205 je za pár šupů.

Strmé MOSFETy na malé napětí v TO220 nejsou na umělou zátěž vhodné.
Při velkém dc zatížení v lineárním režimu vznikají horká místa a dojde k lokálnímu přehřátí.

Celeron · #38 Příspěvek od **Celeron** » 12 lis 2015, 22:37

danhard píše:
Celeron píše: ... Irf3205 je za pár šupů.

Strmé MOSFETy na malé napětí v TO220 nejsou na umělou zátěž vhodné.
Při velkém dc zatížení v lineárním režimu vznikají horká místa a dojde k lokálnímu přehřátí.

V tom jsem nevině, IRF3205 má ve schematu záťěže namalovaný Gepard 8.11. o stránku zpět.

gepard · #39 Příspěvek od **gepard** » 12 lis 2015, 22:55

Ano, jako názornou ukázku řízení jednotlivých trandů, které "makají" defakto paralelně. Má to odzkoušené p. Zajíc, stavěl ten vybíječ baterií prý známému a fachá to...

danhard · #40 Příspěvek od **danhard** » 12 lis 2015, 23:13

https://www.fairchildsemi.com/applicati ... N-4161.pdf
MOSFET thermal runaway

Celeron · #41 Příspěvek od **Celeron** » 13 lis 2015, 00:01

Koukám, že asi vyhrabu dokumentaci od ruskýho "piána" - štandu na opravy a zkoušení zdrojů do EC1033. Bylo tam paralelně asi 80 těch jejich výkonových kulatých "bambuko" snad KP803. Jako zátěž to chodilo naprosto bez problémů zvládlo i trvalý zatížení pro kladívkovej zdroj z řádkový tiskárny 50V cca 60A. Pár tranzistorů v řízení, poťáky hrubě, jemně a to bylo celý.

danhard · #42 Příspěvek od **danhard** » 13 lis 2015, 08:58

KP803 ale není strmej MOSFET na malý napětí

IRFB38N20D, IXFN 180N15P, IXFK80N60P3, IXTK140N20P
Radšte si všimnout, že buď nemají uvedenou dc SOA, nebo když jo, tak jak vypadá.

Celeron · #43 Příspěvek od **Celeron** » 13 lis 2015, 12:47

danhard píše:KP803 ale není strmej MOSFET na malý napětí

IRFB38N20D, IXFN 180N15P, IXFK80N60P3, IXTK140N20P
Radšte si všimnout, že buď nemají uvedenou dc SOA, nebo když jo, tak jak vypadá.

Jasně, v době vývoje toho piána cca 1978 byl fet v CCCP jen kontraband dovážený z středoazijských republik. :lol:

Pamatuju, že i když to byly křemíky, že při kontrolou ohmetrem měly odpory jak germánia. Ale ta zátěž opravdu makala velice dobře. Jednou jsem ji opravoval a velice jednoduchý zapojení ale umělo jen konstantní proud.

Victronix · #44 Příspěvek od **Victronix** » 13 lis 2015, 16:58

danhard píše:KP803 ale není strmej MOSFET na malý napětí

IRFB38N20D, IXFN 180N15P, IXFK80N60P3, IXTK140N20P
Radšte si všimnout, že buď nemají uvedenou dc SOA, nebo když jo, tak jak vypadá.

IRFB38N20D jsem koupil kvůli ztrátovému výkonu a nějak se mi líbil. Když se teď dívám na ty křivky, tak bych jej nekoupil. Naproti tomu, než se tranzistor prorazil, se zátěž chovala překvapivě dobře. A i s pouzdrem TO220 se uchladilo 200W.

Victronix · #45 Příspěvek od **Victronix** » 13 lis 2015, 22:43

Pro maximální přenos tepla na chladič je potřeba pořádná styčná plocha. Největší pouzdra co jsem našel jsou: ISOTOP a miniBLOC, SOT-227 B.
ISOTOP i SOT-227 B mají stejnou plochu 38mm x 25mm

Vybral jsem parametry některých tranzistorů:

IXFN80N50Q2
ID 72A
Rthj-c 0.14 °C/W

PD 890 W
Derating factor ?°C/W

graf SOA chybí

ID / Tc ≈ 30A / 125°C

STE70NM50
ID 70A
Rthj-c 0.2 °C/W
PD 600 W
Derating factor 5°C/W

graf SOA (není dáno při jaké teplotě - asi Tc 25°C)
20V/20A

STE70NM60
ID 70A
Rthj-c 0.2 °C/W

PD 600 W
Derating factor 4.5°C/W

graf SOA (Tc 25°C)
20V/20A
Krásná křivka Transfer Characteristics ID / VGS

IXFN230N10
ID 230A
Rthj-c 0.18 °C/W

PD 700 W
Derating factor ?°C/W

graf SOA (Tc 25°C)
20V/30A
graf SOA (Tc 75°C)
20V/20A
ID / Tc ≈ 100A / 125°C

IXFN 64N60P
ID 50A
RDS(ON) 0.96 Ω

Rthj-c 0.18 °C/W

PD 700 W
Derating factor ?°C/W

graf SOA (Tc 25°C)
20V/30A
ID / Tc ≈ 30A / 100°C

Vše OK až na SOA
IXFN 140N20P
ID 50A
RDS(ON) 0.018 Ω

Rthj-c 0.22 °C/W
PD 680 W
Derating factor ?°C/W

graf SOA (Tc 25°C)
20V/15A

ID / Tc ≈ 30A / 150°C

IXFN 200N10P
ID 120A
RDS(ON) 0.017 Ω

Rthj-c 0.22 °C/W
PD 600 W
Derating factor ?°C/W

graf SOA (Tc 25°C)
NENÍ

ID / Tc ≈ 40A / 125°C
Krásná křivka Input Admittance ID / VGS

Mizerná SOA a rozdíl v Rthj-c 0.21°C/W a Transient Thermal Resistance křivkou, která vychází při DC na 0.35K/W

IXFN170N10
ID 170A
RDS(ON) 0.010 Ω

Rthj-c 0.21 °C/W
PD 600 W
Derating factor ?°C/W

graf SOA (Tc 25°C)
20V / 20A

ID / Tc ≈ 75A / 125°C
Krásná křivka Adminttance curves ID / VGS

Toto mě tak vyčerpalo, že už nejsem schopen porovnat výsledky.
Snad zítra.