Trr transilu

Zpráva

#1 Příspěvek od **forbidden** » 20 pro 2015, 21:28

Chtěl bych použít unipolární transil k asymetrické ochraně před špičkama. V jednom směru omezenýma jeho průrazným napětím, ale v druhým jeho normálním Uf. Akorát se v datasheetech neuvádí nic jako Trr. V závěrným směru je samozřejmě velmi rychlej, ale bude tak rychlý i odčerpání nosičů z přechodu po přepnutí polarity z vodivýho směru? Jinak je v plánu paralelní rychlá dioda, asi schottkyna, aby se otevřela dřív, jak ten transil. V nouzi to můžu i změřit, ale třeba s tím má někdo zkušenost. Dík.

lesana87 · #2 Příspěvek od **lesana87** » 20 pro 2015, 21:30

Co tím budeš chránit, že řešíš trr?

#3 Příspěvek od **forbidden** » 20 pro 2015, 21:38

Gate SiC MoSFETu. Budič zřejmě nestačí, aby se tam nenakmitlo větší záporný napětí a šlehnul se mi přechod G-S. Jede to na asi 1,8 MHz, tak chci všechno co nejrychlejší a nejstrmější, chci omezit ztráty na minimum.

lesana87 · #4 Příspěvek od **lesana87** » 20 pro 2015, 21:55

Transily mají velikou kapacitu, nebude to vadit? Lepší jsou diody na zem a na napájení.

#5 Příspěvek od **forbidden** » 20 pro 2015, 22:18

Myslel jsem, že mají tak pár set pF, to bych ještě snesl. Diody mě nevím proč vůbec nenapadly, dvě schottky a hotovo. Asi to budu muset změřit tak i tak, co bude lepší. Akorát si nejsem moc jistej impedancí napájení na takové frekvenci. Jestli tam nebudu muset nasázet nějaký další keramiky.

Peterseal · #6 Příspěvek od **Peterseal** » 20 pro 2015, 22:26

A čo tak trisil?

#7 Příspěvek od **forbidden** » 20 pro 2015, 22:43

Trisil by asi nedělal dobrotu v tomto zapojení, potřebuju špičky ořezat, ne zkratovat.

PeteBurns · #8 Příspěvek od **PeteBurns** » 21 pro 2015, 08:55

Transil v gate mosfetu bude robit problemy, tym duplom pri takej frekvencii

#9 Příspěvek od **rnbw** » 21 pro 2015, 09:16

Pri gate FETu som videl niekde zenerku, ale nebolo to na 1,8 MHz.

#10 Příspěvek od **forbidden** » 21 pro 2015, 10:15

Zenerka je taky možnost, záleží na kapacitě, jestli bude nižší, jak transil. Problémy budou akorát když budič nebude stíhat nabíjet gate a vzrostou ztráty. Asi budu muset všechny varianty prostě vyzkoušet a proměřit.

ZdenekHQ · #11 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 21 pro 2015, 13:47

Co já vím z pulsních minohledů a ochran tranzistorů při jehle kolem 1kV, tak jednosměrnej transil nijak neovlivnil časy řádově jednotky us, ale obousměrnej transil to úplně zabil.

Ale asi nejlepší bude to opravdu změřit - nechat jen budič, ideálně jen "jehly", odpojit FET a změřit bez transilu a s transilem.

#12 Příspěvek od **forbidden** » 23 pro 2015, 11:57

Tak unipolární transil P6KE16A je úplně v pohodě. Bez něj je rise a fall asi 14 ns, s ním asi 15 ns. Takže žádná tragédie. Nevím, jestli se dá měřit kapacita transilu na můstku, ale ukazuje necelý 2 nF. Budič je normální TC4452 s 2,2 Ω odporem přímo do gate.
Záporný překmity jsou tam i tak, ale nižší. Zatím měřeno bez zátěže jsou max - 2,6 V. Sice bych čekal nižší, ale ono se to blbě měří. Jen jestli použiju perko, nebo zemnící kablík na sondě udělá rozdíl asi 1 V. Uvidíme ještě při zátěži.