drivery řady IR211...

Zpráva

samponek · #31 Příspěvek od **samponek** » 23 úno 2016, 20:51

Asi jo, měnič funguje. Diody jsou tam dvojí, jedny paralelně k tranzistorům a druhé šuntovací napojené na kond.
Teď aby to fungovalo i zakladateli vlákna, IR2110 už tam má, stačí přidat TL494 a budit cívku PWM a sinusovým signálem, výbuchy nebudou.

HiGhLaNdEr · #32 Příspěvek od **HiGhLaNdEr** » 23 úno 2016, 20:55

Jenže finta je v tom že můžeš mít krátké dráty jak chceš a kondy jaké chceš ale ten zpětný proud z cívky udělá v křemíku mosfetu indukci do gate a otevře mosfet,.. A bum,... Potřebuješ tam mít shunt který vede tu proudovou špičku dřív než mosfet a jeho dioda a až ten proud padne na rozumnou hodnotu tak se začne účastnit ta dioda v mosfetu. Když tu změnu proudu mosfetem nebo jeho diodou překročíš tak se otevře indukcí do gate.
U bipolárů se ti to nestane, Ty se neotevřou,..

samponek · #33 Příspěvek od **samponek** » 23 úno 2016, 20:59

To je jasný, proto mu to vybuchuje

Proto říkám sinus, problémy odpadnou.

HiGhLaNdEr · #34 Příspěvek od **HiGhLaNdEr** » 23 úno 2016, 21:00

To jak to má zapojené je zapojení kterým se budí teslovo transformátory, funguje to tak že se tou seriovou diodou a tou vnější paralelní zablokuje funkce bodydiody v mosfetu. A brání se tak jevům které způsobuje velký di/dt.

HiGhLaNdEr · #35 Příspěvek od **HiGhLaNdEr** » 23 úno 2016, 21:01

Vybuchuje to mimo jiné proto že spíná fetama na tvrdo kondenzátor.
Když tam kond mít nebude tak se enegie odvede zpátky do zdroje těma diodama do zdroje.

samponek · #36 Příspěvek od **samponek** » 23 úno 2016, 21:04

No jo, ale když ty kondy dá pryč, tak tam zase bude překmit jak sviňa a bouchne to stejně.

Prostě takhle to nelze. :cry:

HiGhLaNdEr · #37 Příspěvek od **HiGhLaNdEr** » 23 úno 2016, 21:06

Ale samozřejmě že ano,..

lesana87 · #38 Příspěvek od **lesana87** » 23 úno 2016, 21:06

Koukám, tady je to samej bum a bác. Tak to já radši vypadnu jinam.

samponek · #39 Příspěvek od **samponek** » 23 úno 2016, 21:13

Musel by dát k tranzistorům dioda-odpor-kondenzátor šuntovače. Cívka 0.5H je moc jiskřivá.

HiGhLaNdEr · #40 Příspěvek od **HiGhLaNdEr** » 23 úno 2016, 21:18

Tak prostě sepne horní fet. Proud jde cívkou z horního zdroje. Pak ho vypne na cívce se otočí napětí a proud teče zpět diodou do spodního zdroje,...
Pak sepne spodní fet. Proud jde cívkou ze spodního zdroje. Pak ho vypne na cívce se otočí napětí a proud teče přes diodu do horního zdroje,... Překmity jsou tam jen po dobu než se probudí diody. To stihne omezit RC shunt který tam nemá,..

Ondra2 · #41 Příspěvek od **Ondra2** » 24 úno 2016, 06:49

Koukám, že se tady někdo po delší nečinnosti zase projevuje. Plodná diskuze....

epes · #42 Příspěvek od **epes** » 24 úno 2016, 14:41

Koukám, pánové, že jste se do sebe pěkně zadiskutovali, zřejmě i jedinou dámu jste svými výrazy odehnali (tedy jestli ta lesana je opravdu příslušnice něžnější části zdejší populace). Abyste tu diskuzi nepřesunuli z těchto stránek někam jinam, zkusím teď pozornost sthnout zase chvíli na sebe. Rád bych se vrátil k radám skotského horala, který je nejspíše nejblíže k jádru pudla.
Že je cosi shnilého v mém návrhu vím sám, jinak bych s žádostí o radu na tento web neobracel. Bohužel, dosavadní diskuze jednoznačně závadu neobjevila, ale myslím si že zmíněná dioda mezi Vs a COM by mohla pomoci. Možná, že i dioda mezi Vb a VS by též mohlo zabránít podpětí na těchto pinech. V appnote sice píší že podpětí 5V na Vs neovlivní funkci IO , ale určitě bude lepší, když tam bude menší. Otázkou je ale podpětí na pinu Vb - dle dokum. je povolené podpětí pouze -0,5V, což je hodně málo a čert ví jestli nějaká dioda stačí toto podpětí odbourat.
Zenerky 17V mezi G a S jsem měl a nic nezachránily a sami zařvaly, ale nevím kdy, jestli před explosí, nebo až při ní či po ní.Spojení COM a se záporným polem zdroje (tedy i s S T3) je nutností funkce.
Co se týče buzení - proud je dán napětím Vss gate odporem(R5, R8) a odporem gate-source(R4,R3) a těžko může přesáhnout povolených 2-2,5A.
Volba těchto odporů je problematická - doporučená hodnota 1k2 víc zatěžuje budič a zvyšuje hodnotu Cb, ale víc chrání MOSFET. Naopak hodnota 47k budič téměř nezatíží, sníží hodnotu Cb, ale ochrana tanzistoru bude asi mizivá.
Bootstrap a deadtime - FETy jsou buzeny symetricky přibližne takto 10ms, 10ms, 10ms, čili dostatečný čas na ustálení všech přechodových stavů.
RC - dobrá myšlenka, ale např. článek 470nF+47ohm byl k ničemu, tedy téměř. Overcureent- to se lehce napíše s realizaceto není až tak jednoduchá, zatím jsem začal s indikací nul.proudu v obou větvích - diody D5 a D7 (kromě zvýšené ochrany T3 a T2.
Vypínání FETů natvrdo - tomu nerozumím.
A teď to nejproblematičtější. Jak už jsem psal, při absenci bipolárů u cívky vznikají přepětové spičky vždy po uzavření T3 či T2. To že se každá cívka brání změně proudu je známý fakt už ze ZDŠ. Proč ale zde vzniká přepětí když se cívka může "vybít" přes diody v FETech či přes přídavné diody. Pozor ten přepětový puls je široký přesně 5 ms a je úplně jedno jestli didy D1 D2 jsou zapojené či nikoli. Dále je jedno jestli se změní šířka hlavního pulsu, přepětový puls je stále stějně široký. Předpokládám, že diody jsou krapet rychlejší než oněch 5ms. A že by indukčnost celého silového obvodu byla tak vysoká, aby trvalo 5 ms než se cívka vybije, se mi také nezdá.Ty bipoláry není nic co by se mně líbilo, ale zatím je to jediný prostředek jak ty přepětové pulzy zmenšit až skoro ostranit. K rezonanci to má hodně daleko proudový ráz zapříčiněním nabíjením kondů je maxim.při zapnutí - zřejmě se nikdy zcela "nepřebíjí" na opačnou polaritu asi díky těm diodám. Pokud by vás napadlo jak jinak elegatnějc ošetřit ty přepětové pulsy, sem s tím - ty koďany jsou poměrně nebezpečné a drahé. Pokud vás napdne místo bipoláru připojit dva antiparalelně zapojené tyristory, tak vězte, že se takovéto vybíjecí obvody skutečně používají (stovky ampér) ale velikým problémem je správné časování zapínání a výběr velmi rychlých tyristorů. Takže také nic elegatního.
Ještě bych chtěl zdůraznit, že neodcházejí nejdříve FETy a pak IO, což jsem si též myslel. Poslední pokus mě přesvědčil o opaku. IO odešel a asi včasným vypnutím jsem fety zachránil.
Zkusím tedy zapojit diody k VS a snad i kVb, nové zenerky a uvidím, ale až dojdou nové IO. Obětuji ještě tak dva kousky a pak to vše hodím z okna a přejdu k tyristorové verzi, tyristory jsou přeci jen odolnější.

HiGhLaNdEr · #43 Příspěvek od **HiGhLaNdEr** » 24 úno 2016, 15:54

Vypínat budičem ten fet natvrdo bez vybijecího odporu, tak jak to máš se ty fety zavírají jen přes diodu. Ten odpor 1k2 neni na to aby něco chránil ale aby tlumil oscilace který vznikaji na gate, jelikož gate je drát a to je cívka a kapacita hradla je kondenzátor tak to má nějakou rezonanční frekvenci.

Ještě mně napadllo jak máš zapojené ty diody mezi mosfety co takhle ty diody D5, D7 dát obě do drainů ?

koukni sem http://danyk.cz/mosfety.html