Napájení budiče výkonového MOSFETu

Zpráva

Maxipes_ · #1 Příspěvek od **Maxipes_** » 29 led 2017, 17:13

Zdravím,
zajímalo by mě, jaký bude zhruba odběr budiče TLP250 napájeného souměrným zdrojem ±15 V (střed napájení bude na S tranzistoru, na gate bude +15 V nebo -15 V, když nebudu počítat s úbytkem na budiči), který bude ovládat běžný N-MOSFET 100 V 30 A (nebo dva paralelně) při kmitočtu řekněme 100 až 300 kHz.
Děkuji za odpovědi.

#2 Příspěvek od **forbidden** » 29 led 2017, 17:26

Najdi si v katalogu celkovej náboj do gate pro těch 15 V a máš to.
Vzorečky Q=C*U a Q=I*t ti pak stačí pro výpočet.

samponek · #3 Příspěvek od **samponek** » 29 led 2017, 18:06

Nedávej záporné napětí -15V tak veliké, stačí -5V, jinak si to budeš zbytečně brzdit a projeví se Ti to právě na 300kHz a značném oteplení budiče.

danhard · #4 Příspěvek od **danhard** » 29 led 2017, 18:14

Co jste tu za hňupy ? Jak jste přišli na symetrický napájení TLP250 pro MOSFET ? :roll:

#5 Příspěvek od **forbidden** » 29 led 2017, 18:23

Já budič přece vůbec neřešil, ani ho neznám. Jen jsem naznačil, jak se asi dostane k proudovýmu odběru obecnýho budiče při buzení danýho MOSFETu.

Maxipes_ · #6 Příspěvek od **Maxipes_** » 29 led 2017, 18:25

Děkuji za odpovědi, možná jsem hňup, ale alespoň dokážu porozumět textu psanému v rodném jazyce.
Jasně píšu, že střed napájení by byl na source MOSFETu, budič by byl napájen ±15 V, to je dohromady 30 V.

danhard · #7 Příspěvek od **danhard** » 29 led 2017, 18:26

Forbidden, ty to máš normálně, počítáš s 15V rozkmitem buzení, ale hoši chtějí budit ten MOSFET do mínusu proti source, tak se ptám proč ?

Maxipes_ · #8 Příspěvek od **Maxipes_** » 29 led 2017, 18:28

Protože jsem někde četl, že by se měl MOSFET takovým způsobem rychleji zavírat.

voitano · #9 Příspěvek od **voitano** » 29 led 2017, 18:32

Já se nemůžu pomoct, ale když gate nabiješ na -15V, tak to zase bude náročnější ho nabít na +15V. Nestačí jen to vybití gate na 0V
?

danhard · #10 Příspěvek od **danhard** » 29 led 2017, 18:32

A kolik potřebuješ ty časy ?

Na dynamickou spotřebu Ti stačí náboj x kmitočet

Maxipes_ · #11 Příspěvek od **Maxipes_** » 29 led 2017, 18:43

Asi stačí, nemám s tím moc zkušenosti, ale potřeboval jsem vědět, jaký by byl zhruba odběr toho budiče, protože bych ho napájel monolitickým DC-DC izolovaným měničem.

danhard · #12 Příspěvek od **danhard** » 29 led 2017, 18:56

Bežný 100V 30A MOSFET s Qg kolem 100nC a 300kHz bude mít s 10V buzením spotřebu cca 30mA + 10mA klidový odběr TLP250.
Rychlosti hran kolem 50-100ns.
Když bude buzení 30V, tak se spotřeba zvýší asi na dvojnásobek.

#13 Příspěvek od **Zaky** » 29 led 2017, 20:34

Když jsem řešil buzení SiC tranzistoru, bylo v jeho datasheetu taktéž doporučeno v zavřeném stavu přivést na gate -5V. Pracovní frekvence byla 1MHz a jediný rozdíl proti zavírání gate na 0V bylo výrazně vyšší oteplení gatedriveru. Tranzistoru se teplota měřitelně (infrateploměrem, takže v řádu jednotek stupňů) nezměnila. Jestli to bylo o nějaké desetiny, to nevím a neřeším, zjednodušení obvodového řešení gatedriveru a snížení jeho teploty bylo dostatečnou motivací záporné napětí vypustit.

danhard · #14 Příspěvek od **danhard** » 29 led 2017, 20:55

Málokdo si uvědomuje, co tam způsobuje idnukčnost přívodu source.
Změna 10A za 100ns způsobí na 10nH (cca 10 mm přívod) úbytek 1V, který působí proti buzení.

weed_smoker · #15 Příspěvek od **weed_smoker** » 31 led 2017, 20:24

Maxipes_ píše:Protože jsem někde četl, že by se měl MOSFET takovým způsobem rychleji zavírat.

Pak se ale zas bude hůř otvírat když ten G toho MOSFETu bude nabitej opačně a bude se taky víc zatěžovat driver.Na to se používalo do -3V při otvírání 15V a jenom u starejch silovejch trandů s tupym G.Ty nový MOSFETy stačí zavřít tim driverem vybít G do země.
BTW.Známý drivery 3120 a IR21xx zavíraj proti zemi a používaj se i na jiný MOSFETy než od IR.
ad.přívody: Na 100-300kHz už bude dost znát i rozložení,nejen dýlka.