Návrh aktivního usměrňovače 0-300 V 75 A

Zpráva

lesana87 · #16 Příspěvek od **lesana87** » 19 úno 2017, 18:00

Standardní 100A/600V dioda bude mít Uf tak 1,5V, to IGBT bude mít Ucesat ke 2V.

samponek · #17 Příspěvek od **samponek** » 19 úno 2017, 18:39

S těmi IGBT to upřesním, tyto mají při 50A Uces=2.4V, při 150A Uces=2.5V

perwin · #18 Příspěvek od **perwin** » 19 úno 2017, 19:15

Je pravda, že jsem si nakonec u IGBT neuvědomil tu ztrátovost, zrovna ten IGBT co jsem psal (NGTB75N60FL2WG) má podle dokumentace UCE(sat) okolo 1,75 V, což je opravdu víc než má obyčejný můstek.
Spíš tam teda použiju nějakej pořádnej MOSFET, třeba FCH023N65S3L4, ten má RDS(on) pouhých 19,5 mOhm.

Habesan · #19 Příspěvek od **Habesan** » 19 úno 2017, 19:16

Ty čínský plameny moc důvěry nebudí.

S MosFETem, který má Rds(on)=33mΩ, to lepší nebude.
Chtělo by to nějakých 10mΩ, nebo méně.

perwin · #20 Příspěvek od **perwin** » 19 úno 2017, 19:37

Jenže MOSFET na 600 V a 75 A, aby měl RDS(on) pod 10 mOhmů snad ani neexistuje...

samponek · #21 Příspěvek od **samponek** » 19 úno 2017, 20:16

Existuje a vyhoví.

weed_smoker · #22 Příspěvek od **weed_smoker** » 19 úno 2017, 20:35

Aktivní usměrňovače se obvykle dávaj tam,kde je hodně proudu,vysoká rychlost a malý napětí (měniče pro CPU atd),kvůli tomu úbytku.Jedná se hlavně o obvody s napětím pod 3.3V (2V2,1V8,1V5....0V9) a vysokym proudem.U napětí nad 60V se setkáváme spíš s diodama a tyristorama.
BTW.Zajímaly by mě jistý vlastnosti toho originálu od Bartoně,např.maximální/minimální vstupní frekvence,přepěťová odolnost a taky odolnost nadproudová/zkratová(nebo když je velkej kond(pár mF,ne víc než 33) napřímo za tim) i doporučený jištění,kdybych to náhodou stavěl.