Mně to "fungovalo" i podobně jako je na posledním obrázku (jen bez fetu)...
Myslíš to tak, že by byla místo jednoho P FETu zapojena "paralelně" dvojce P+N ?
A s tou zenerkou by to vypadalo jak? moje dvě zenerky nestačí?
Vzorečky - toroidní trafo
Moderátor: Moderátoři
-
elektrosvit
- Příspěvky: 2517
- Registrován: 27 čer 2016, 00:00
Ano, bez tranzistoru to funguje, protože ICL šváb má v sobě dvojčinný koncový stupeň zabudovaný. Ale tento koncový stupeň je proudově dimenzován jen pro buzení MOS-FET tranzistorů (tedy nabíjení a vybíjení kapacity C_gate-source), nikoli pro zatížení "silovými" obvody.
S tou Zenerkou by to vypadalo tak, jak je to nakreslené na tom mém schématu, na které jsi sám dal odkaz ve svém předchozím příspěvku. Během magnetizace se magnetizační proud uzavírá ve smyčce zdroj-primár-tranzistor-zdroj. Během demagnetizace ve smyčce primár-antisériová dioda-Zenerka-primár. Antisériová dioda je během magnetizace polarizována v závěrném směru a brání tak zkratu primárního vinutí. Velikost napětí Zenerovy diody určuje rychlost demagnetizace. Pokud toto napětí bude větší než napájecí napětí zdroje, může měnič pracovat se střídou větší než 0,5. Tranzistor má emitor, resp. source, stále na zemi, takže nepotřebuje galvanické oddělení řídicího signálu- to je značná výhoda tohoto zapojení.
Ve tvém zapojení se magnetizační proud během magnetizace uzavírá ve smyčce zdroj-horní koncový tranzistor-kondenzátor-jedna dioda-primár-zdroj. Během demagnetizace ve smyčce kondenzátor-dolní koncový tranzistor-primár-druhá dioda-kondenzátor. Pokud mi neuniká jejich skrytý smysl, ty dvě antiparalelní diody tam k ničemu nejsou, bude to fungovat i bez nich. Pokud naopak jednu odpojíš, nebude to fungovat vůbec.
S tou Zenerkou by to vypadalo tak, jak je to nakreslené na tom mém schématu, na které jsi sám dal odkaz ve svém předchozím příspěvku. Během magnetizace se magnetizační proud uzavírá ve smyčce zdroj-primár-tranzistor-zdroj. Během demagnetizace ve smyčce primár-antisériová dioda-Zenerka-primár. Antisériová dioda je během magnetizace polarizována v závěrném směru a brání tak zkratu primárního vinutí. Velikost napětí Zenerovy diody určuje rychlost demagnetizace. Pokud toto napětí bude větší než napájecí napětí zdroje, může měnič pracovat se střídou větší než 0,5. Tranzistor má emitor, resp. source, stále na zemi, takže nepotřebuje galvanické oddělení řídicího signálu- to je značná výhoda tohoto zapojení.
Ve tvém zapojení se magnetizační proud během magnetizace uzavírá ve smyčce zdroj-horní koncový tranzistor-kondenzátor-jedna dioda-primár-zdroj. Během demagnetizace ve smyčce kondenzátor-dolní koncový tranzistor-primár-druhá dioda-kondenzátor. Pokud mi neuniká jejich skrytý smysl, ty dvě antiparalelní diody tam k ničemu nejsou, bude to fungovat i bez nich. Pokud naopak jednu odpojíš, nebude to fungovat vůbec.
Díky za skvělou odpověď !!
Ale: bude to fungovat i opačně, viz obrázek? (musím mit pěvně spojenou zem)
+ jak určit vhodné Zenerovo napětí na DZ1?
Ale: bude to fungovat i opačně, viz obrázek? (musím mit pěvně spojenou zem)
+ jak určit vhodné Zenerovo napětí na DZ1?
- Přílohy
-
Bez názvu.jpg- (75.06 KiB) Staženo 156 x
-
elektrosvit
- Příspěvky: 2517
- Registrován: 27 čer 2016, 00:00
Když vyhodíš C13 a DX1 a DX2, tak už to nějak fungovat bude. Ještě dej mezi gate a výstup ICL malý odpor, třeba 47 Ω nebo podobnou hodnotu. Zenerovo napětí by mělo být aspoň 15 V, nebo i vyšší. Tranzistor je pak během demagnetizace namáhán součtem Zenerova napětí a napětí zdroje. V Zenerce je během demagnetizace pálena energie:
W_L = 0,5*L*I²_µ_max
Ztrátový výkon je pak:
P = f*W_L
Na něj musí být Zenerka s rezervou dimenzována, aby se stíhala uchladit.
W_L = 0,5*L*I²_µ_max
Ztrátový výkon je pak:
P = f*W_L
Na něj musí být Zenerka s rezervou dimenzována, aby se stíhala uchladit.
-
elektrosvit
- Příspěvky: 2517
- Registrován: 27 čer 2016, 00:00
Nějak jsem napsal proto, že uvedené zapojení nemám prakticky ověřené a nikdy jsem nepracoval s P MOS-FETem. Stavěl jsem variantu s N MOS-FETem, a ta fungovala podle předpokladů. Zde je to prakticky stejné, jen je použit P MOS-FET a "studený" konec trafa je trvale na zemi. Jeden konec kapacity C_gate-source je trvale připojený k + 15 V, druhý je ICLkem střídavě připojován k zemi (nabíjení kapacity, zapínání tranzistoru, napětí ve směru gate-source je záporné) nebo k + 15 V (vybíjení kapacity, vypínání tranzistoru, napětí gate-source je nulové). Takže já nevidím důvod, proč by to nemělo fungovat. Jestli jej někdo vidí, ať jej napíše. Já nejsem vševědoucí.