el. plot PaJa
Moderátor: Moderátoři
el. plot PaJa
A kutilmile - nelituju tě
- jezevec
- Hlavní moderátor
- Příspěvky: 6104
- Registrován: 13 čer 2004, 00:00
- Bydliště: Břeclavsko
- Kontaktovat uživatele:
V zapojení bych udělal malé změny, C1 zvětšit na 2200uF (a víc), doplnit odpor cca 10k mezi G - S FETu, T1 vyměnit za jiný s menším Rds, např. SPW20N60C3, D3 je zbytečná, je už součástí FETu a je rychlejší. Pokud to nepomůže, tak už jen jinou cívku.
Někde jsem četl, že použil cívku z paralyzeru (400kV) z Ali.
co když bych místo MOS dal BJT ?jezevec píše:Jestli je tam 555 v provedení CMOS nebo bipolar je v tomto případě jedno.
V zapojení bych udělal malé změny, C1 zvětšit na 2200uF (a víc), doplnit odpor cca 10k mezi G - S FETu, T1 vyměnit za jiný s menším Rds, např. SPW20N60C3, D3 je zbytečná, je už součástí FETu a je rychlejší. Pokud to nepomůže, tak už jen jinou cívku.
Někde jsem četl, že použil cívku z paralyzeru (400kV) z Ali.
A kutilmile - nelituju tě