Emitorové odpory tranzistorů

Zpráva

Superpavel · #1 Příspěvek od **Superpavel** » 29 lis 2018, 13:16

Ahoj mám zapojený zesilovač 250 mW pracující ve třídě AB. Podle knihy 304 zajímavých zapojení. Autor tam doporučuje zapojit do emitorů tranzistorů odpory 0,47 R pro teplotní stabilitu. Předpětí bází je nastaveno dvěma sériově zapojenýma diodami mezi báze tranzistorů NPN a PNP. Tranzistory jsou zapojené jako emitorové sledovače.A právě emitorové odpory 0,47 R mě přijde dost málo aby to mělo nějaký stabilizační účinek. Potřeboval bych nějaké vodítko jak tyto odpory určit.

microlan · #2 Příspěvek od **microlan** » 29 lis 2018, 15:43

250 mW? tak to ho zapínej jen přes léto, v zimě by Ti mohl zmrznout.

FERYACT · #3 Příspěvek od **FERYACT** » 29 lis 2018, 15:58

Dej schema.

Superpavel · #4 Příspěvek od **Superpavel** » 29 lis 2018, 16:18

Ja bych schema dal ale jak to mám udělat když tu knížku mám staženou z uložto.

#5 Příspěvek od **EKKAR** » 29 lis 2018, 16:30

Udělej printscreen obrazovky, ulož ho v "Malování" jako .jpg soubor a dál s ním pracuj jako s obrázkem.

samec · #6 Příspěvek od **samec** » 29 lis 2018, 16:45

jednoducho printscreen

microlan · #7 Příspěvek od **microlan** » 29 lis 2018, 17:43

Však tam ty odpory dej a uvidíš, vše závisí od použitých diod a tranzistorů. Hodnota 0,47 Ω je rozumný kompromis.

Superpavel · #8 Příspěvek od **Superpavel** » 29 lis 2018, 18:51

Dobře. Ale potřeboval bych vědět jak se dojde k té hodnotě. Vím že tranzistor s předpětím báze a odporem v emitoru se chová jako zdroj proudu. Jaký má na tom odporu být úbytek napětí ?

Ivan_Ryger · #9 Příspěvek od **Ivan_Ryger** » 29 lis 2018, 20:15

Toto zapojenie nie je veľmi dobre navrhnuté. Počíta s tým, že obe diódy a tranzistory majú rovnakú teplotnú závislosť a sú tepelne zviazané. V praxi je takéto zapojenie veľmi nevyspytateľné, pretože možnosť nastavena kľudového prúdu je takmer vylúčená.

Takéto nešťastné (zdanlivo jednoduché) zapojenie bude lavírovať medzi dvomi stavmi- nedostatočný úbytok na diódach vnášajúci veľké prechodové skreslenie počuteľné uchom/ veľký úbytok na diódach - veľký prúd do báz koncových tranzistorov prehrievajúcich sa. Nanešťastie napätie Ube tranzistorov s rastúcou teplotou klesá, teda pri danom úbytku napätia na dióde sa toto chová ako kladná spätná väzba, ktorá môže viesť k usmaženiu tranzistorov.

Emitorové odpory pri koncových tranzistoroch veľmi pomohli, pretože fungujú ako prúdová sériová záporná spätná väzba, môj inžiniersky odhad hovorí úbytok 50mV pri otvorených tranzistoroch (rádovo 10mA tečúcich nimi). čím väčší úbytok, tým stabilnejšie správanie ale aj tým vyššia výstupná impedancia zosilňovača, čo v takejto konštrukcii nemusí byť veľký problém. Nenaháňame tu maximálny výstupný výkon ani účinnosť.

microlan · #10 Příspěvek od **microlan** » 29 lis 2018, 21:28

Myslím, že se nemusí nic dodávat, snad jen přeložit do selského rozumu. Prostě pokud se vlivem teploty sníží Ube tranzistorů, tak se zvětší proud, který jimi prochází, který ale způsobí větší úbytek napětí na těch odporech a tranzistory se tzv. odbudí a proud se zmenší k ustálenější hodnotě. Pro výpočet by jsi potřeboval znát závislost Ic na Ube a také Ube na teplotě. Škodlivý vliv lze spočítat jednodušeji, jako poměr součtu těch odporů k zatěžovací impedanci.

samec · #11 Příspěvek od **samec** » 29 lis 2018, 22:13

Zoberme taký extrémny prípad, že dióda má 20°C a tranzistor 100°C. Odhadom nech je úbytok na Ube o 150mV menší ako na dióde. Tak presne o toľko sa musí pridať úbytok na odpore, aby to bolo znova v rovnováhe. A to sa stane pri 150mV / 0,5Ω = 300mA. Samozrejme pri menšom rozdiele teplôt medzi tranzistorom a diódou sa dosiahne rovnováha pri pomerne menšom prúde. Napríklad 20°C a 28°C pri 30mA. Odhadom samozrejme. Presné závislosti napätia od teploty možno nájsť na internete.