spínací tranzistor jako lineární regulátor

Zpráva

BOBOBO · #31 Příspěvek od **BOBOBO** » 13 srp 2025, 19:03

Ták nepiš nic , nikomu to vadit nebude .

danhard · #32 Příspěvek od **danhard** » 13 srp 2025, 19:05

Ty by jsi mohl jít také do prdele, nikomu to vadit nebude

BOBOBO · #33 Příspěvek od **BOBOBO** » 13 srp 2025, 19:06

Já se o to nepřu , tak se tam sejdem . Na blbou otázku blbá odpověď , tož tak .

#34 Příspěvek od **EKKAR** » 13 srp 2025, 19:08

Ve spínacím i "lineárním" tranzistoru v podstatě libovolnýho principu (přechodovýho i polem řízenýho) dochází k identickýmu jevu - vzniká v nich Jouleovo teplo ze ztráty napětí na jejich vnitřním odporu. Uvolňovanej tepelnej výkon je součin procházejícího proudu a úbytku napětí - až sem je všecko principiálně stejný. Rozdíl nastává v mechanický konstrukci, kdy jednotlivý druhy odlišujou fyzický rozměry samotnýho čipu, poměr velikosti jednotlivejch vodivejch oblastí a hlavně rozměr heatspreaderu = části futrálu, na kterou je připájenej samotnej čip a která svým tepelným odporem nejvíc ovlivňuje odvod tepla z čipu pryč a jeho předání případnýmu chladiči. No a tenhle díl teplovodnýho "kanálu" je u spínacích součástek prostě dělanej menší a lehčí neboli LACINĚJŠÍ - protože z principu funkce na spínacích součástkách při jejich OBVYKLÝM použití vzniká řádově menší tepelná ztráta, tak na ně výrobci jednoduše neplejtvají materiálem = DRAHÝM TEPLOVODIVÝM MATERIÁLEM ve srovnání se součástkama, používajícíma klidně i shodnou velikost čipu, ale určenýma pro lineární režim práce. Je to to samý, jako že jsou vedle sebe pásový vozidla a monoposty F1. Obojí spalujou benál nebo naftu, ale zkuste si s pásákem vyjet na Hungároring nebo na "Nordschleife", případně si zajet dát pár driftů s monopostem někam do lomu ...

danhard · #35 Příspěvek od **danhard** » 13 srp 2025, 19:10

Ale hovno.

To je právě rozdíl, když něco vysvětluje kecálista EKKAR, nebo praktik, kterej ví, co je podstatné.

#36 Příspěvek od **EKKAR** » 13 srp 2025, 19:23

Chceš mi snad ty státem placenej rentiére tvrdit, že kecám, pokud tady tvrdím že když v pozici výrobce součástek/polovodičů naroubuju spínací čip na dostatečně mohutnej odvod tepla, abych získal co nejnižší tepelnej odpor čip-chladič-okolí, že ho nebudu moct zatěžovat v lineárním režimu mnohem větší tepelnou ztrátou, než jaký stejnej čip můžu vystavit ve standardním futrálu pro spínací aplikaci?

BOBOBO · #37 Příspěvek od **BOBOBO** » 13 srp 2025, 19:34

Spíš mi sděl , zda má cenu ráno na Pařez . Telefon všade funguje super , žádný 4-5 .

danhard · #38 Příspěvek od **danhard** » 13 srp 2025, 19:40

Ve spínacím režimu má odpor kanálu v sepnutém stavu kladné Tk.
V lineárním režimu má otevírací napětí záporné Tk.

Struktura tranzistoru je zapojena paralelně.

Důsledky si buď odvodíte, nebo nemá cenu Vám to vysvětlovat.

Můžu Vám dát nějaká praktická doporučení, ale protože je to know how, tak byste o to mohli aspoň slušně požádat.

alxa · #39 Příspěvek od **alxa** » 14 srp 2025, 08:24

Danharde, pěkně prosim, smutně koukám, mohl by jsi napsat pár řádek o IGBT Vykašli se na ty tlučhuby.

barnodaj · #40 Příspěvek od **barnodaj** » 14 srp 2025, 10:11

Připojil bych se s prosbou k uživateli alxa.

Skay · #41 Příspěvek od **Skay** » 15 srp 2025, 07:38

Když už jsi to takhle nakousnul je jasný kde je problém.
Když právě velkýmu počtu samostatnejch tranzistorů s vlastním emitorovým odporem jsem se chtěl tímhle pokusem vyhnout
Nebo jak naznačuješ existuje snad způsob jak tuto vlastnost u velkého čipu potlačit aby mohl fungovat v tomto režimu?
Předem díky za odpověď

danhard · #42 Příspěvek od **danhard** » 15 srp 2025, 21:55

Čím větší chip a větší strmost, tím je to víc citlivé na vznik horkých míst v lineárním režimu. Dá se to pak použít třeba jen na zlomku výkonové ztráty.
Potlačit se to nedá, musíš zvolit většinou předimenzovaný chip na vyšší napětí, který není optimalizovaný pro spínání.
Odolnost na proražení na horkém místě se pozná na parametru Eas.
Stačí srovnat staré planární MOSFETy a trench MOSFET.
Taková IRFP460 si toho nechá dost líbit, ale taky bych nešel přes 100W lineární dc ztráty

Na jaké napětí a proud to potřebuješ ? Čím vyšší napětí, tím nižší proud pro stejnej výkon a je to logicky horší.
Já jsem dělal zátěže s laterálama 2SK1058, ty byly nezničitelný, jelikož tu vlastnost neměly. Stačilo hlídat teplotu chladiče.
https://www.onsemi.com/pub/collateral/and90187-d.pdf
https://www.infineon.com/assets/row/pub ... tes-en.pdf

feliz_navidad · #43 Příspěvek od **feliz_navidad** » 28 lis 2025, 10:55

Skay píše:Tak jsem odprásknul další 3 IGBT SKM200 i 300 víceméně při stejném výkonu
Začínam si myslet, že jsi měl prostě kliku na typ tranzistoru který to konstrukčně vydrží jinak tenhle parametr je u spínacích tranzistorů logicky nedohledatelnej udaj
Poslal jsem Ti SZ

V datasheetu je 2x zmíněno "not for linear use", SOA není pro DC vůbec definovaná a ty jsi se divil, že nevydržel?

danhard · #44 Příspěvek od **danhard** » 28 lis 2025, 14:05

O tom to tak nějak je.
V r.92 jsem navrhoval pro zahraniční firmu nějaké lineární zátěže s MOSFETy.
IR mi také ze začátku tvrdilo, že tam nějaká deformace SOA pro dc není.
Komunikace oběma směry byla asi 20 mailů a pak na základě mých zkušeností na to nechali udělat studii, která to potvrzovala.
Nakonec jsem to dělal s 2SK1058.
Ale dá se to udělat i se spínacími MOSFETy a reálnými odpory + lineární řízení, jen je rozsah zátěže částečně omezen.

feliz_navidad · #45 Příspěvek od **feliz_navidad** » 28 lis 2025, 15:27

https://www.power-mag.com/pdf/feature_p ... eature.pdf

Obrázek č.6 vlevo je dostatečně výmluvný.