Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Kámoš v onsemi designoval mosfety, před časem mi složitě vysvětloval v čem je technologický problém u spínacích mosfetů v lineární oblasti. Ale bylo to na pivu, takže si z toho pamatuju jen nepoužívat, nebo obrovským způsobem předimenzovat. Bohužel je problematické ho kontaktovat, respektive následně to napsat na bastlírnu, takže bude nejlepší zůstat u zjištění že spínací mosfety takto prostě nepoužívat. Stejně se s tím nic dělat nedá, ať už víš čím konkrétně v konstrukci křemíku je to zapříčiněno nebo ne.

thermal runaway

Před 35-ti lety jsem se dohadoval s výrobci, že to tam je, i když to nemají v katalogu

Pak někde mám 40 let starou korespondenci s AD o AD převodnících s postupnou aproximací, kde mi psali, že to nepotřebujou a za 8 let jsem od nich kupoval chipy, kde to bylo implementováno

AD9625, funkční vzorek se součástkami Tesla jsem ukazoval Jirkovi Dostálovi někdy v roce 88.

Zjednodušeně asi takto: Každý tranzistor má nějakou plochu, kterou proud prochází. U lineárních tranzistorů proud touto plochou teče přibližně rovnoměrně. U spínacích tranzistorů ten proud takto pěkně rozdělený není. Některými částmi té plochy teče proudu víc, zatímco jiné části se flákají. Ty zatíženější plochy se logicky více zahřívají, přičemž čím víc se hřejí, tím více proudu na sebe od okolí přebírají. Průřez účinné plochy se tak strmě zmenšuje, proud teče stále menší částí plochy, jeho intenzita tím narůstá až dosáhne takové hodnoty, že se čip prorazí.
Dá se to i sledovat, těsně před průrazem trand více šumí, ovšem nebavíme se o nějakých sekundách, ale maximálně mikrosekundách. Pak už je vymalováno.

Na vině je záprný teplotní koeficient.

feliz_navidad píše:

Skay píše:a ty jsi se divil, že nevydržel?

vzhledem k tomu, že jsem člověk zvědavej a pár čipů v těchto tranzistorech i vyměnil a proto vím, že jsou s plochou cca 1cm2 silné asi jako list papíru připájený celoplošně na keramické destičce připájené na kusu mědi tak jsem jednoduše nevěřil tomu, že by k nějakému přehřátí v rámci samotného čipu mohlo vůbec dojít. Tento jev mi byl vysvětlen až tady. Jsem jednoduše spokojenej když vim jak věci fungujou a proč

Když je ten tranzistor sepnutej, tak se uplatňuje kladnej koeficient odporu materiálu, když je to v lineárním modu, tak převládá zápornej koeficient otevíracího napětí, čím vyšší kolektorové napětí a tím pro stejnej výkon menší proud, tím je to horší.