Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Zdravíčko pánové,
Řeším nákup použitých IGBT modulů a protože s tím nemám dobré zkušenosti obracím se na vás s prosbou o pomoc.
Jde o to, že nový IGBT měřený měřákem na odpor mezi C-E při Uge=0V má hodnotu řádově jednotky Mega. Člověk od kterého bych tranzistor kupoval naměřil 300k.
V datasheetu jsem přímo nenašel hodnotu odporu kanálu při Uge=0V ale udává se proud při nějakém (většinou max dovoleném) napětí
Je možné, že bude v pořádku a já jen používam špatnou metodu měření nebo je nějak "načnutej" (hradlo je v pořádku)
Předem díky za názory

Změřil to dobře on? Nedržel třeba při měření hroty měřáku v prstech? To by těm 300K tak odpovídalo.

nene, to by mě taky trklo

U použitého polovodiče může být "na cestě" naprosto cokoliv. A změřit se to často nedá (prostě je "nakopnutá" struktura, aniž by se to za běžných podmínek jakkoliv projevilo).

Tím spíš, když jde o MOS strukturu.

Jednoduše řečeno: použitý polovodič bych koupil jen ve stavu nejvyšší nouze a vůbec nic bych si od něj nesliboval.

To je přesně to z čeho mam obavy.
včera jsem vytahnul ze zdroje podobnej polomost. Oba tranzistory Rce cca 100-150k. Odprásknutý nepochopitelně oba budiče přitom hradlo v pořádku.
a nějaký dynamický oměření bych na ty proudy a napětí musel něco postavit a stejně, to je něco co už ten člověk na druhý straně neověří.
Doufal jsem tedy, že oměřit ho staticky bude stačit. No asi ne

G pripojit na E a tak merať CE prechod.

Pokud je to od stejného výrobce a za podobné teploty, tak je to nejspíš opravdu špatně. Použité polovodiče z funkčního zařízení jsou často mnohem bezpečnější volba při náhradě něčeho nedostupného či drahého, než koupit přeznačený plagiát od rejžáka, pokud ale vykazují takovéto anomálie, nešel bych do toho.

Opravdu to asi staticky oměřit nejde. DDM měří napětím cca 0,5V a naměří staticky odpor cca 120k.
Když přivedu na tranzistor napětí 120VDC tak ampermetr ukazuje 3,6uA což je nějakých cca 33M
Jak už JirkaZ psal, tranzistory budou dostupný až někdy v polovině roku a čas běží. Za 100EUR kupovat případný těžítko se mi ale taky nechce

Ještě drobný detail: Uge = 0V je samozřejmě podmíněné zkratováním G a E, což na fotce nějak nevidím...

Uvědom si, že IGBT je na vstupu MOS struktura a tím, že G necháš "v luftě", si připravíš naprosto nedefinovaný stav celé součástky.

Touto poznámkou se nijak nemění to, co jsem napsal výše.

P.S.: proč tu nikde není napsaný typ modulu?

Ano, souhlasím. Máš samozřejmně pravdu. Já se zkratovaným G-E měřím. Co jsem měl možnost oměřit tak se údaj statického odporu liší +-30k tím 0,5V co se nabije hradlo při měření odporu.
modul jsem nepsal, neni to podstatný. Chovaj se nový stejně a "poškozený" stejně. Nehledě na proudovou řadu modulu
SKM200GB, SKM300GB, SKM400GB...

Typ modulu samozřejmě je podstatný (proč by nebyl?).

Už jen ze zjištění, že jde o typ pro proud stovek A se domnívám, že naměřené hodnoty "svodu" by mohly být víceméně normální (na výstupu je struktura bipolární a plocha čipu pro takový proud je značná).

Ale neber to jako změnu těch skutečností, co jsem popsal výše, jen trochu změněný úhel pohledu.

Osobně bych si dohodl možnost vrácení v případě, že by modul nebyl OK. Ale je to jen částečné a možná ne zcela průchozí řešení.

Hodnoty svodu se dohledat daji a to je právě to co mě mate. Svod dle datasheetu je staticky v pořádku proč se tedy liší v hodnotách odporu? Navíc je tam ještě antiparalelně ta dioda...
Teď jsem na to kouknul. I když myslim, že měřit diodu na odpor je svym způsobem blbost ale pro srovnání:
Funkční tranzistor co má hodnoty na obou tranzistorech Rc-e cca 36M tak odpor na obou antiparalelní diodach je 0,7M(v propustném směru)
Poškozený má Rc-e 100k a 150k a na diodach 1k9 a 2k5(v propustném směru)

Nechápu příspěvek...

Antiparalelní dioda (alespoň u SKM300GB12T4) přece je interně napevno připojená k C-E, tak jak můžeš uvádět měření pro C-E a diodu zvlášť?

Proto uvadim jakym směrem měřim.
Předpokládam, že zavřenej tranzistor bude mít větší odpor než dioda a tudíš, že když měřim Rc-e tak měřim tranzistor a když měřim Re-c tak měřim diodu

To "v propustném směru" jsi tam dopsal dodatečně, nebo jsem si toho při rychločtení nevšiml a bylo to tam už v původním stavu?

Jinak tedy ale pořád porovnáváš nový a poškozený IGBT a chybí tam porovnání s tím, co nabízí ten prodejce (což je pochopitelné - minimálně bude mít jiný měřák s jiným měřícím napětím apod.).