Záměna tranzistorů

Zpráva

BIPOLAR · #1 Příspěvek od **BIPOLAR** » 22 bře 2010, 20:34

Lze při použití tranzistoru V-MOS v nabíječce akumulátorů, místo výkonového bipolárního, použít o něco menší chladič ? Pokud ano, tak asi o kolik procent ?

ZdenekHQ · #2 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 22 bře 2010, 20:37

Přírodu neošidíš.

Andrea · #3 Příspěvek od **Andrea** » 22 bře 2010, 20:38

Třeba je spínaná.

ZdenekHQ · #4 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 22 bře 2010, 20:43

Téměř každá odpověď na Bastlírně je sázka do loterie.

Jak je zmínka o bipoláru, chladiči a nabíječce, dávám minimálně 80 procent lineáru...

BIPOLAR · #5 Příspěvek od **BIPOLAR** » 22 bře 2010, 21:00

Tak přírodu neošidím :cry:

, je to lineár a srdcem nabíječky je UC3906. Teď citace z KE 6/2007 str.5. "Zároveň bylo zjištěno, že nejmenší tepelné ztráty (a tím i vyzařované teplo do okolí) vykazují výkonové tranzistory FET s kanálem N, a proto byl pro regulaci nabíjecího proudu použit výkonový tranzistor BUZ11". Tolik citace - autor p. ing.Zátopek. :wink:

.

ZdenekHQ · #6 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 22 bře 2010, 21:17

Na tohle prostě nejde rozumně odpovědět...

Ano, N-FET bude méně hřát, protože se v katalogovém zapojení neotevře a tím pádem na něm nebude výkonová ztráta. Že to nebude nabíjet zřejmě není podstatné.... P-FET bude hřát úplně stejně... Možná o maličko méně než bipolár, protože v mém pdf chybí odpor v bázi bipoláru, takže přechod BE může být teoreticky přetěžován nesmyslně velkým proudem.

BIPOLAR · #7 Příspěvek od **BIPOLAR** » 22 bře 2010, 21:32

Ano, to máš pravdu že UC3906 N-FET v katalogovém zapojení neotevře a proto gate budí BC556 (ve schématu je dokonce KC307). V dalším pokračování doporučuje P-FET např. IRF5305. Vysvětluje to tím, že tyto P-FETY nemá a proto použil zapojení s tou KC307. Z pinu 16. je zapojen odpor 100 ohmů.

Crifodo · #8 Příspěvek od **Crifodo** » 22 bře 2010, 21:46

aby to nakonec nedopadlo jak s v tom vtipu o výměně prádla v sovětské posádce Střední skupiny... :roll:

BIPOLAR · #9 Příspěvek od **BIPOLAR** » 22 bře 2010, 21:53

Crifodo píše:aby to nakonec nedopadlo jak s v tom vtipu o výměně prádla v sovětské posádce Střední skupiny...

Tak ten neznám, pošli mi ho přes SZ :wink:

.

BIPOLAR · #10 Příspěvek od **BIPOLAR** » 23 bře 2010, 14:12

Tohle jsem si přečetl na webu M.Olejára :

Další vlastnosti
MOSFET mají výrazně menší teplotní závislost parametrů oproti bipolárním tranzistorům. Teplotní závislost je charakterizována tzv. krityckým proudem Drainu, což je takový proud ID, při kterém ID nezávisí na teplotě. Kvůli větší pohyblivosti elektronů než děr mají obecně lepší vlastnosti tranzistory s kanálem typu N.
www.elweb.cz

www.elweb.cz
Poznámka: Článek vznikl na základě mé přípravy na zkoušku z předmětu "Elektronické součástky a struktury" ve druhém ročníku na ČVUT FEL. Problematiku jsem se snažil popsat vlastními slovy tak, jak jsem ji já pochopil a aby mohla být pochopena normálním smrtelníkem. Článek neodráží kvalitu ani rozsah výuky zmíněného předmět

ZdenekHQ · #11 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 23 bře 2010, 15:42

Což znamená, že když použiješ MOSFET v lineárním výkonovým zesilovači, budeš mít docela peklo s nastavením a udržením správného pracovního bodu při měnící se teplotě tranzistoru.

BIPOLAR · #12 Příspěvek od **BIPOLAR** » 23 bře 2010, 17:32

Zdeňku, já tu mám při ruce jak FETY N i P,tak např. i bipoláry TIP147,BDW84 či BDV66 - jenom to chci vyzkoušet. Mně se hlavně líbí ta třístavová nabíječka s tím UC3906 pro gelovku v mém autě. Mám to již vyzkoušené s BDW84C a makala jako hodinky, až na to docela velké topení :wink:

.

ZdenekHQ · #13 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 23 bře 2010, 17:43

Ten tranzistor se chová jako řízenej odpor a výkonová ztráta na něm v lineárním režimu bude pořád stejná, bez ohledu na vnitřní strukturu.

BIPOLAR · #14 Příspěvek od **BIPOLAR** » 23 bře 2010, 18:25

A to ještě musím počítat při použití FETů s horším odvodem tepla, protože jsou v pouzdru TO220. Tak to osadím bipolárem

.