Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Zdravim. Co si myslite o rekuperacni diode v tomto MOSu IXFN60N80P? Pouzivam ho v plnem mostu na 200KHz s PWM rizenim a zda se mi ze je pomala... Jaky mate na ni v tomto pouziti nazor co se tyce rychlosti na teto frekvenci? Mate pripadne nejaky tip na vyzkouseni dodatecne rychlejsi diody pro paralelni pribastleni? Diky za reakce.

A čo stým urobíš, ako ju eliminuješ. So zatváraní je to ťažké. Super rýchle diódy sú nevhodné. Bývajú tam (dnu) diódy s mäkkým zatváraním. Také majú menšiu špicu záverného prúdu a postupne sa zatvoria. Veľmi rýchle majú veľmi veľký prúdový impulz, ktorý rýchlo zanikne.

Například DSEI60-06 má o hodně menší zotavovací náboj ale zotavovací čas je skoro stejný. Eliminovat ji dle mého názoru můžeš na 100% je když dáš jednu DSEI60-06 do série s MOSFETem a druhou paralelně k sériové kombinaci MOSFET+D.
Podle mě to ale nemá moc smysl.

To pořád spínáš natvrdo, že řešíš zotavení diod?

Naopak se mi jedna o rychle otevreni rekuperacni diody. Nespinam natvrdo, snazim se spinat v nule napeti a myslim si ze tomu tak i je, ale po rozepnuti tranzistoru, ktery reguluje PWM se mi to rozkmita. Prikladam obrazek (zluty-buzeni jednoho tranzistoru,modry-napeti na tom tranzistoru,zeleny-proud na vystupu mustku).
Funguje mi to tak, ze ten prvni budici impulz resi PWM a druhy je stale 50% atd. Druhy tranzistor v diagonale to ma opacne. Takze po zavreni tranzistoru s regulovanym pulzem napr norni levy je stale otevreny druhy v diagonale dolni pravy a energie pokracuje dolnim pravym a rekuperacni diodou dolnim levym. Napada me, jestli pomale otevreni te rekuperacni diody dolniho leveho nezpusobi to rozkmitani po vypnuti praveho horniho, protoze se ta energie chvilkove nema kde vybit.

Nie je vhodné prekračovať dv/dt na draine, aj zatváranie mosu musí byť rozumné. Možno upraviť impedanciu budenia G. Mohlo by to pomôcť.

alvr: ty průběhy jsou totálně šílený, o spínání "naměkko" se nedá mluvit. Je nutné udělat úpravu jak psal procesor - zmenšit du/dt.
P.S. Přidej ještě oscilogram na kterém bude napětí na MOSFETU a proud tímto MOSFETem.

Nějak nechápu ten podivnej způsob spínání.

To skoro nikdo nechape:-) Ten system jsem prenesl z 20KHz systemu, kde pouzivam IGBT tranzistory a ty nevedou proud v opacnem smeru jako MOSy. Nejspis se to da nahradit i phase shift rizenim, ale tam ten system proste chodi jak ze skolni ucebnice, vcetne spinani v nule, atd. Tak se ho snazim pouzit i u 200KHz, ale tady mi to vsechno rusi, atd a nevim ce se chytit. Tak patram v cem je hlavni zrada na te vyssi frekvenci? Princip je u obou uplne stejny.


Zbytečná citace celého předchozího příspěvku vymazána.
Hill