rychlost rekuperacni diody v MOSu

Zpráva

alvr · #1 Příspěvek od **alvr** » 25 říj 2010, 21:33

Zdravim. Co si myslite o rekuperacni diode v tomto MOSu IXFN60N80P? Pouzivam ho v plnem mostu na 200KHz s PWM rizenim a zda se mi ze je pomala... Jaky mate na ni v tomto pouziti nazor co se tyce rychlosti na teto frekvenci? Mate pripadne nejaky tip na vyzkouseni dodatecne rychlejsi diody pro paralelni pribastleni? Diky za reakce.

procesor · #2 Příspěvek od **procesor** » 25 říj 2010, 22:12

A čo stým urobíš, ako ju eliminuješ. So zatváraní je to ťažké. Super rýchle diódy sú nevhodné. Bývajú tam (dnu) diódy s mäkkým zatváraním. Také majú menšiu špicu záverného prúdu a postupne sa zatvoria. Veľmi rýchle majú veľmi veľký prúdový impulz, ktorý rýchlo zanikne.

AmarokCZ · #3 Příspěvek od **AmarokCZ** » 25 říj 2010, 23:11

Například DSEI60-06 má o hodně menší zotavovací náboj ale zotavovací čas je skoro stejný. Eliminovat ji dle mého názoru můžeš na 100% je když dáš jednu DSEI60-06 do série s MOSFETem a druhou paralelně k sériové kombinaci MOSFET+D.
Podle mě to ale nemá moc smysl.

Andrea · #4 Příspěvek od **Andrea** » 25 říj 2010, 23:18

To pořád spínáš natvrdo, že řešíš zotavení diod?

alvr · #5 Příspěvek od **alvr** » 26 říj 2010, 07:54

Naopak se mi jedna o rychle otevreni rekuperacni diody. Nespinam natvrdo, snazim se spinat v nule napeti a myslim si ze tomu tak i je, ale po rozepnuti tranzistoru, ktery reguluje PWM se mi to rozkmita. Prikladam obrazek (zluty-buzeni jednoho tranzistoru,modry-napeti na tom tranzistoru,zeleny-proud na vystupu mustku).
Funguje mi to tak, ze ten prvni budici impulz resi PWM a druhy je stale 50% atd. Druhy tranzistor v diagonale to ma opacne. Takze po zavreni tranzistoru s regulovanym pulzem napr norni levy je stale otevreny druhy v diagonale dolni pravy a energie pokracuje dolnim pravym a rekuperacni diodou dolnim levym. Napada me, jestli pomale otevreni te rekuperacni diody dolniho leveho nezpusobi to rozkmitani po vypnuti praveho horniho, protoze se ta energie chvilkove nema kde vybit.

procesor · #6 Příspěvek od **procesor** » 26 říj 2010, 10:13

Nie je vhodné prekračovať dv/dt na draine, aj zatváranie mosu musí byť rozumné. Možno upraviť impedanciu budenia G. Mohlo by to pomôcť.

AmarokCZ · #7 Příspěvek od **AmarokCZ** » 26 říj 2010, 10:24

alvr: ty průběhy jsou totálně šílený, o spínání "naměkko" se nedá mluvit. Je nutné udělat úpravu jak psal procesor - zmenšit du/dt.
P.S. Přidej ještě oscilogram na kterém bude napětí na MOSFETU a proud tímto MOSFETem.

Andrea · #8 Příspěvek od **Andrea** » 26 říj 2010, 10:38

Nějak nechápu ten podivnej způsob spínání. :oops:

alvr · #9 Příspěvek od **alvr** » 26 říj 2010, 11:31

To skoro nikdo nechape:-) Ten system jsem prenesl z 20KHz systemu, kde pouzivam IGBT tranzistory a ty nevedou proud v opacnem smeru jako MOSy. Nejspis se to da nahradit i phase shift rizenim, ale tam ten system proste chodi jak ze skolni ucebnice, vcetne spinani v nule, atd. Tak se ho snazim pouzit i u 200KHz, ale tady mi to vsechno rusi, atd a nevim ce se chytit. Tak patram v cem je hlavni zrada na te vyssi frekvenci? Princip je u obou uplne stejny.

Zbytečná citace celého předchozího příspěvku vymazána.
Hill