Diskuzní fórum Elektro Bastlírny

Zdravím všetkých,

počas listovania v knihe "zaujímavá zapojení 3" od nakladateľstva BEN som našiel schému dióda s nízkym úbytkom. Schému prikladám ako prílohu a porovnanie so schotky diódou. Ide tak dosiahnúť niekoľkonásobne nižšie straty ako s diódou.(poznámka, viem že by šlo použiť výkonnejšiu diódu, a tým by klesli straty na dióde, ale tak isto ide použiť tranzistor s nižším vnútorným odporom).

Veľmi sa mi toto riešenie páči napríklad pre vlastníkov fotovoltaických panelov, kde je každého stratového W škoda. Problém vidím len v budení N MOSFETU, ktorý potrebuje driver, alebo zdroj vyššieho napätia.

otázka1: používa sa takéto zapojenie? pretože som ho ešte doteraz nevidel nikde(to samozrejme ale vôbec nič neznamená, nemám ešte prehľad)

otázka2: z dôvodu problémov s N tranzistorom, som si schému skúsil s P MOSFET(prerábal som ju ja, viď obrázok). A vyzerá v simulácii, že takáto konštrukcia funguje. Je použiteľná?(napr. v prípade fotovoltaických článkov, alebo ako usmerňovač výstupu z transformátoru, takže frekvencie rádovo v HZ)

vďaka za reakcie, s pozdravom, i

ps: na watmetroch merám stratový výkon na "diódach"

Toto zapojení se používá všude tam, kde je ho třeba, takže skoro nikde
A použitelné určitě je, avšak ne příliš výhodné.

prečo by to nebolo výhodné? Keď dosiahneme dajme tomu 10* nižšíu stratu, tak na väčších výkonoch by bola návratnosť rádovo pár rokov. A to počítam cenu za elektrickú energiu 10 centov/kwh.

Když zvážíš náklady na výměnu obyčejné diody, na problémy spojené s touto MOSFET diodou, tak zjistíš, že to nemá smysl. Smysl by to mělo snad jen pokud bys ji použil při malém napájecím napětí, kde dioda způsobuje značnou ztrátu. V ostatních případech je lepší schottky. Stejně jako Banda jsem ji nikde neviděl (kromě článku, který o ní pojednával).

Napr. v PC zdrojoch s vysokou ucinnostou "80+" sa pouzivaju na usmernenie FETy namiesto diod. Akurat to riadenie vyzera inak.

Pri prúde 4A je úbytok na IRF510 2,4V. Túto hodnotu zvládne aj obyčajná dióda.
IRF540....pre 22A má úbytok 1,2...1,5V
podobne je na tom aj IRF5210.
S teplotou však rastie Rdson ... pri 100°C je odpor aj dvojnásobný.

ale irf510 som našiel toto

5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power

0.5 ohmu je strašne veľa, nie je problém zohnať tranzistory so 100 násobne nižším odporom. A ceny sú dajme tomu prijateľné , do dvoch eur

ale súhlasím s ostatnými, že to spôsobuje komplikácie taká dióda.

S IRF1405 jen 0.02V (s naprosto obyčejným IRFZ44 je to 0.18V), takže to smysl může někdy mít. IRF510 je MOSFET na úplně jiné úrovni, pro usměrňování k ničemu.

Jestli to někoho potěší, mám něco podobného v jednom velkém zdroji na hladině 5V/110A.

Tady podobnou věc vysvětluje Andrea . http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... c&start=15

K čemu je na tom druhém obrázku ten komparátor, když má sezkratované napájení?
A jak to může fungovat na tom první obrázku, když 393 má výstup s OK a chybí tam pull-up odpor? A navíc je ten komparátor obráceně.

Zdá se, že v simulátoru to funguje dobře . Celou dobu čekám, kdy si toho někdo všimne, že to není košer.

Andrea: funguje to přece jednoduše - MOSFET má přece mezi S a D obyčejnou diodu, takže to "nějak" usměrňuje

Akorát to první zapojení usměrňuje tak nějak obousměrně.

Andrea píše:K čemu je na tom druhém obrázku ten komparátor, když má sezkratované napájení?
A jak to může fungovat na tom první obrázku, když 393 má výstup s OK a chybí tam pull-up odpor? A navíc je ten komparátor obráceně.

ospravedlnujem sa, zle som to obkreslil, ten obrázok s N mosfetom. Napájanie LM393 je v knižke zvlášť na 10V, prekreslim.

a to zapojenie s Pmos, to som si vymyslel, takže ma neprekvapuje ak je nanič

prikladám PRESNE zapojenie ako je v knižke, akurát nesedia čísla, v knižke majú plus ako vývod 2, a v datasheete je 3. a naájanie majú v knižke 7, v datasheete je 8