hledám zatím marně náhradu tranzistoru PZTM1101 v pouzdře SOT223-4.
Děkuji za případné nakopnutí, nasměrování.
VCBO collector-base voltage open emitter − 60 V
VCES collector-emitter voltage VBE = 0 − 40 V
VEBO emitter-base voltage open collector − 6 V
IC collector current (DC) − 200 mA
Schottky barrier diode
VR continuous reverse voltage − 40 V
IF forward current (DC) − 1 A
IF(AV) average forward current − 1 A
Tj junction temperature reverse current applied − 125 °C
forward current applied − 150 °C
Combined device
Ptot total power dissipation up to Tamb = 25 °C − 1.2 W
Tamb operating ambient temperature −55 +150 °C
Tstg storage temperature −55 +150 °C
Tj junction temperature − 150 °C
