načnutej IGBT tranzistor

[Skay]

Zdravíčko pánové,
Řeším nákup použitých IGBT modulů a protože s tím nemám dobré zkušenosti obracím se na vás s prosbou o pomoc.
Jde o to, že nový IGBT měřený měřákem na odpor mezi C-E při Uge=0V má hodnotu řádově jednotky Mega. Člověk od kterého bych tranzistor kupoval naměřil 300k.
V datasheetu jsem přímo nenašel hodnotu odporu kanálu při Uge=0V ale udává se proud při nějakém (většinou max dovoleném) napětí
Je možné, že bude v pořádku a já jen používam špatnou metodu měření nebo je nějak "načnutej" (hradlo je v pořádku)
Předem díky za názory

[Zaky]

Změřil to dobře on? Nedržel třeba při měření hroty měřáku v prstech? To by těm 300K tak odpovídalo.

[Skay]

nene, to by mě taky trklo

[JirkaZ]

U použitého polovodiče může být "na cestě" naprosto cokoliv. A změřit se to často nedá (prostě je "nakopnutá" struktura, aniž by se to za běžných podmínek jakkoliv projevilo).

Tím spíš, když jde o MOS strukturu.

Jednoduše řečeno: použitý polovodič bych koupil jen ve stavu nejvyšší nouze a vůbec nic bych si od něj nesliboval.

[Skay]

To je přesně to z čeho mam obavy.
včera jsem vytahnul ze zdroje podobnej polomost. Oba tranzistory Rce cca 100-150k. Odprásknutý nepochopitelně oba budiče přitom hradlo v pořádku.
a nějaký dynamický oměření bych na ty proudy a napětí musel něco postavit a stejně, to je něco co už ten člověk na druhý straně neověří.
Doufal jsem tedy, že oměřit ho staticky bude stačit. No asi ne

[misocko]

G pripojit na E a tak merať CE prechod.

[Zaky]

Pokud je to od stejného výrobce a za podobné teploty, tak je to nejspíš opravdu špatně. Použité polovodiče z funkčního zařízení jsou často mnohem bezpečnější volba při náhradě něčeho nedostupného či drahého, než koupit přeznačený plagiát od rejžáka, pokud ale vykazují takovéto anomálie, nešel bych do toho.

[Skay]

Opravdu to asi staticky oměřit nejde. DDM měří napětím cca 0,5V a naměří staticky odpor cca 120k.
Když přivedu na tranzistor napětí 120VDC tak ampermetr ukazuje 3,6uA což je nějakých cca 33M
Jak už JirkaZ psal, tranzistory budou dostupný až někdy v polovině roku a čas běží. Za 100EUR kupovat případný těžítko se mi ale taky nechce

[JirkaZ]

Ještě drobný detail: Uge = 0V je samozřejmě podmíněné zkratováním G a E, což na fotce nějak nevidím...

Uvědom si, že IGBT je na vstupu MOS struktura a tím, že G necháš "v luftě", si připravíš naprosto nedefinovaný stav celé součástky.

Touto poznámkou se nijak nemění to, co jsem napsal výše.

P.S.: proč tu nikde není napsaný typ modulu?

[Skay]

Ano, souhlasím. Máš samozřejmně pravdu. Já se zkratovaným G-E měřím. Co jsem měl možnost oměřit tak se údaj statického odporu liší +-30k tím 0,5V co se nabije hradlo při měření odporu.
modul jsem nepsal, neni to podstatný. Chovaj se nový stejně a "poškozený" stejně. Nehledě na proudovou řadu modulu
SKM200GB, SKM300GB, SKM400GB...

[JirkaZ]

Typ modulu samozřejmě je podstatný (proč by nebyl?).

Už jen ze zjištění, že jde o typ pro proud stovek A se domnívám, že naměřené hodnoty "svodu" by mohly být víceméně normální (na výstupu je struktura bipolární a plocha čipu pro takový proud je značná).

Ale neber to jako změnu těch skutečností, co jsem popsal výše, jen trochu změněný úhel pohledu.

Osobně bych si dohodl možnost vrácení v případě, že by modul nebyl OK. Ale je to jen částečné a možná ne zcela průchozí řešení.

[Skay]

Hodnoty svodu se dohledat daji a to je právě to co mě mate. Svod dle datasheetu je staticky v pořádku proč se tedy liší v hodnotách odporu? Navíc je tam ještě antiparalelně ta dioda...
Teď jsem na to kouknul. I když myslim, že měřit diodu na odpor je svym způsobem blbost ale pro srovnání:
Funkční tranzistor co má hodnoty na obou tranzistorech Rc-e cca 36M tak odpor na obou antiparalelní diodach je 0,7M(v propustném směru)
Poškozený má Rc-e 100k a 150k a na diodach 1k9 a 2k5(v propustném směru)

[JirkaZ]

Nechápu příspěvek...

Antiparalelní dioda (alespoň u SKM300GB12T4) přece je interně napevno připojená k C-E, tak jak můžeš uvádět měření pro C-E a diodu zvlášť?

[Skay]

Proto uvadim jakym směrem měřim.
Předpokládam, že zavřenej tranzistor bude mít větší odpor než dioda a tudíš, že když měřim Rc-e tak měřim tranzistor a když měřim Re-c tak měřim diodu

[JirkaZ]

To "v propustném směru" jsi tam dopsal dodatečně, nebo jsem si toho při rychločtení nevšiml a bylo to tam už v původním stavu?

Jinak tedy ale pořád porovnáváš nový a poškozený IGBT a chybí tam porovnání s tím, co nabízí ten prodejce (což je pochopitelné - minimálně bude mít jiný měřák s jiným měřícím napětím apod.).