CMOS 4000 poškození vstupů v opačném směru

Zpráva

samponek · #1 Příspěvek od **samponek** » 12 zář 2024, 11:28

Při proudu 0.2A je na vnitřní diodě úbytek 1.7V ( vstup proti GND)
Při proudu 0.4A je úbytek 2.7V
Při proudu 0.5A je úbytek 3.9V a při proudu 0.57A / 4.03V se vstup poškodí.

Vyplývá z toho, že se vstupní proud musí vhodným způsobem omezit na bezpečnou hodnotu 320mA, kterou obvod snese trvale se ztrátou 1W .

ondraN · #2 Příspěvek od **ondraN** » 12 zář 2024, 12:03

To myslíš substrátové diody a proud při napětí na vstupu větším než napájecí?

#3 Příspěvek od **masar** » 12 zář 2024, 12:33

Je jen málo šílenců, kteří cmos-vstup zatěžují proudem 320mA. Asi tolik, jako těch, co trhají blechám nožičky.

samponek · #4 Příspěvek od **samponek** » 12 zář 2024, 12:33

Ano, substrátové diody a k poškození obvodu dojde pokud vstupní proud překročí cca 0.5A v obou polaritách.
Plusová napájecí větev je jištěná transilem 10V proti GND, aby se to při plusové polaritě mělo o co opřít a nedošlo k poškození obvodu.

#5 Příspěvek od **Hill** » 12 zář 2024, 13:08

Nebylo by lepší omezit rozsah napětí na vstupu, aby ochranné diody neměly co odvádět?

samponek · #6 Příspěvek od **samponek** » 12 zář 2024, 13:21

Je to lepší, ale v některých případech to škodí, protože třeba zenerkou na vstupu hradla si zvětšíš vstupní kapacitu ze 4pF na třeba 20nF.

Lukas-Peca · #7 Příspěvek od **Lukas-Peca** » 12 zář 2024, 13:28

Můžeš dát na vstup samostatnou ochrannou diodu a před vstup odpor pár desítek ohm, aby proud tekl tou externí diodou. Ověřovat, že substrátová dioda snese 300 mA, je jako zkoušet, že típáním doutníku o vodní hladinu nevznikne zlato.

HF_Tech · #8 Příspěvek od **HF_Tech** » 12 zář 2024, 13:41

V tomhle případě bude lepší zvolit jiné řešení. Očividně není použití CMOS hradla vhodné.

#9 Příspěvek od **Hill** » 12 zář 2024, 14:39

Ty ochranné diody na vstupech hradla by měly otevírat jen ve vyjímečných případech, tedy v normálních provozních podmínkách je rozumné vůbec s funkcí těch ochranných diod nepočítat - čím více se bude napětí na vstupu blížit k napájecímu napětí, tím strměji bude narůstat kapacita těch diod. A to do řádu nF při velmi malém rozdílu potenciálů, protože na odvádění proudů až 350 mA nemůže mít přechod diody zrovna nulovou plochu.
Při velkém napětí mezi katodou a anodou diody pochopitelně můžeš počítat s řádem jednotek pF.
A zenerku bych do toho vůbec netahal.

martinkopp · #10 Příspěvek od **martinkopp** » 12 zář 2024, 16:52

Trvale 1W bez nesnese ani transil standartní velikosti, natož dioda na CMOS vstupu.

kulikus · #11 Příspěvek od **kulikus** » 13 zář 2024, 23:46

martinkopp píše:Trvale 1W bez nesnese ani transil standartní velikosti, natož dioda na CMOS vstupu.

Vypadlo? 1W bez chladiče

samponek · #12 Příspěvek od **samponek** » 17 zář 2024, 08:29

Osvědčil se odpor 900R v sérii se vstupem hradla a externí diody, při výkyvech +-70V omezuje proud na bezpečných 77mA.

#13 Příspěvek od **Cust** » 17 zář 2024, 08:54

masar píše:Je jen málo šílenců, kteří cmos-vstup zatěžují proudem 320mA. Asi tolik, jako těch, co trhají blechám nožičky.

toš to je za jedna!

#14 Příspěvek od **Cust** » 17 zář 2024, 08:56

Lukas-Peca píše:.. že típáním doutníku o vodní hladinu nevznikne zlato.

o olovo už ale ano (foton pencil beam

)

#15 Příspěvek od **Cust** » 17 zář 2024, 08:56

samponek píše:Osvědčil se odpor 900R v sérii se vstupem hradla a externí diody, při výkyvech +-70V omezuje proud na bezpečných 77mA.

77 mA opravdu nebude bezpečný proud