IGBT alebo MOSFET do SMPS?

[JMD]

prosím vás, čo odporúčate osadiť do SMPS zdroja na primárnej strane (230Vac, resp. za usmerňovačom 325Vdc), výkonové IGBT alebo MOSFET, s akým záverným napätím kolektor emitor (Vce) a dovoleným prúdom kolektora (Ic)?

V zosilňovacej hlave basgitarového komba (OUTPUT POWER: 500W RMS @ 4 ohm, 300W RMS @ 8 ohm) sa vyskytla chyba – dva primárne IGBT tranzistory (označené GJ00N60E, puzdro TO-247) v sekcii SMPS zlyhali v skrate, čo spôsobilo prepálenie 4A sieťovej poistky. V staršom modely boli použité MOSFET IRFP27N60K. Skontroloval som tiež integrovaný obvod ovládania hradiel IR21531D, ktorý má chybný výstupný stupeň LO a bude ho tiež potrebné vymeniť. Na sekundárnej som overil, že vetva ±80 V, ±15 V, ±5 V je neporušená a nepoškodená.

[forbidden]

Dej tam, co tam bylo, nebo ekvivalent. Něco s vyšším napětím, nebo proudem samozřejmě ničemu neuškodí. Když to nebude pomalejší.
Chyba nejspíš vznikla kvůli řídicímu obvodu, tranzistory pak seply do zkratu.

[JMD]

tomu IGBT tranzistoru GJ00N60E nie sú data. V staršom modely bol MOSFET IRFP27N60K. Ide myslím aj o Qg a preto som našiel modernejšie napr. od ST STW28N60M2, ktoré má napr. 3x menšiu hodnotu Qg.

[rnbw]

Nie je to nahodou G100N60E - a teda SIHG100N60E?

[JMD]

Asi mas pravdu....dakujem

[mi-ro]

Asi vážně FET. Nvm na jakým kmitočtu ti běží ten napáječ ale IGBT moc vysoko neumí.

[JMD]

Ja som to zle precital, ked to este bolo v doske a neviem ani preco som si to spojil s IGBT.
Kmitocet je 90kHz, perioda 11us.

[JMD]

Pozrel som do vnutra MOSFET tranzistora.G100N60E
Vds: 600V
Id: 30A (25°C)
Rds(on): 0.086Ω
Qg: 50nC
Púzdro: TO-247

[JMD]

Tu je aj schéma, jednoduchého SMPS pre zosilňovač v class D 500W RMS 4ohm, 300W RMS 8ohm.

[JMD]

Tym prvym zdrojom som nadobudol odvahy a pustil sa do starsich 2ks SMPS 48Vdc 300W Ericsson. To je vsak uz ina liga, kde sa neviem rozumne dostat ani ku gate driveru HCF4069U ktory budi Power MOSFET APT8075BVR Advanced Power Technology.
TO-247 puzdro, 800V, 75mΩ RDS(on), Id 11A. Oba zdroja ich maju v skrate. Ked uz nic ine nedokazem s tym spravit, tak som sa aspon pozrel na rovnaky typ tranzistoru r.v. 1996 a 2000. Chipy su rozdielne, asi aj technologiou vyroby.

[JMD]

Poznate niekto tie zdroje od Ericsson 48V/300W pre telecom zariadenia? "Oplatí" sa mi s tym zaoberat, alebo je to po tych rokoch stary principialne prekonany zdroj? Spolahlivost je dobra aspon tychto 2 kusov co som mal, az kym tomu decka dali na frak, ked s tym napajali Alliexpresacke vykonnejsie cass D zosilnovace a zopar krat aj do skratu.

Prosim keby ste mali schemu, aspon principialne podobneho modelu .
Nasiel som nejake AN od ON Semi alebo Infineon a pod., ale to su len blokove, nic konkretne.

Vidieť tam TL431AI (×2) asi regulujú výstupné napätie cez 2 opto brány a invertované drivere HCF4069U. Niečo ako v obr.

[Kremik]

Víš jak se leze do takovýho trandu, aby sis mohl prohlédnout přímo čip? Rozehřej ho nad plyňákem nebo jakkoli jinak, aby se ta zalévací hmota rozsvítila aspoň do červena. Čipu se vzhledově nic nestane. Pak to necháš zchladnout a hmotu jednoduše vydrolíš. Když budeš opatrnej, čip se ani neuštípne a můžeš si ho prohlédnout v celé jeho kráse.

[JMD]

Dakujem za radu, v tomto pripade stacilo kladivko a zverak, ale cielom je skor opravit tie zdroje. Zial smd suciastky riadenia vykonoveho MOSFET a spatnovazobnych sluciez z regulatorov napatia TL431AI su v priestore pod hlavnym trafom.

[lesana87]

Dovolím si pochybovat o tom, že je to topologie flyback, na 300W se nehodí, vychází moc velké trafo. Pokud je na primáru jen jeden tranzistor, bude to spíš jednotranzistorový propustný měnič. Pozná se to snadno podle zapojení sekundáru, je v něm navíc druhá dioda a tlumivka.

[JMD]

Myslím si, že na sekundárnej strane je len filtračná cievka viď. foto, zapojená podľa schémy v obrázku. Nevidím na sekundárnej strane ani ďalšiu diódu. 2 diódy sú na primárnej strane, napájané z Drain Mosfetu pre vytvorenie pomocného napájania cca 10V, cez 100ohm výkonový odpor na chladiči.