Myslím, že by ses měl nejdříve důkladně seznámit s funkcí BJT tranzistorů obou polarit. Taky pochop, že běžné řízení MOSFET tranzistorů nevyžaduje žádné další součástky, stačí přivést výstup z digitálního pinu na G přes malý rezistor. Ten rezistor má spíše ochranný charakter a zabraňuje tvorbě proudových špiček při nabíjení a vybíjení náboje z hradlového kondenzátoru.
Pro pochopení funkce různých typů FET tranzistorů mohu doporučit tuhle stránku http://www.elweb.cz/clanky.php?clanek=94
Pochopil jsem správně spínání tohoto zapojení Mosfetu?
Moderátor: Moderátoři
Já tím reagoval na to tvrzení, že indukci si mám představit jako smyčku a že na G-S si mám představit baterii.
" Na vyšších kmitočtech má i jeden závit docela znatelnou indukčnost. A čím větší plocha závitu, tím větší indukčnost. U toho zapojení s tranzistorem teče většina vybíjecího proudu z G do E, pak do C a do S a zpět do G. ..."
Ale psal, jsem že je to nesmysl, že proud nemůže téct do mínusového pólu "baterie" (S), protože je tam nulový potenciál se zemí. Tu indukční smyčku o které je řeč ve videu tam nevidím. Při vybíjení to jde jen směrem do země, jeden směr, nejde to zpět. Takže žádná smyčka.
" Na vyšších kmitočtech má i jeden závit docela znatelnou indukčnost. A čím větší plocha závitu, tím větší indukčnost. U toho zapojení s tranzistorem teče většina vybíjecího proudu z G do E, pak do C a do S a zpět do G. ..."
Ale psal, jsem že je to nesmysl, že proud nemůže téct do mínusového pólu "baterie" (S), protože je tam nulový potenciál se zemí. Tu indukční smyčku o které je řeč ve videu tam nevidím. Při vybíjení to jde jen směrem do země, jeden směr, nejde to zpět. Takže žádná smyčka.
Tak teď ti nějak nerozumím. Chceš pochopit funkci FET tranzistorů obecně, nebo jen tady toho jednoho, poměrně extrémního případu?
Co se týká obecně obvodů, každý kousek drátu se může chovat jako indukčnost. Záleží pouze na frekvenci signálu, který je aplikován. A velmi strmé hrany mají spektrum signálu do stovek MHz, takže i poměrně krátký vodič má již nezanedbatelnou indukčnost, která se projeví. Ale to už spadá do oblasti poměrně komplikované matematiky a nejde to moc jednoduše vysvětlit.
Co se týká obecně obvodů, každý kousek drátu se může chovat jako indukčnost. Záleží pouze na frekvenci signálu, který je aplikován. A velmi strmé hrany mají spektrum signálu do stovek MHz, takže i poměrně krátký vodič má již nezanedbatelnou indukčnost, která se projeví. Ale to už spadá do oblasti poměrně komplikované matematiky a nejde to moc jednoduše vysvětlit.
Indukce tam je. Abys to mohl pochopit, musíš vědět, proč tam ten PNP tranzistor je, a co by se dělo, kdyby tam nebyl.
Takže tam není a není tam ani ta dioda. Pak indukci tvoří vývody mosfetu G a S a vodivé cesty plošného spoje k IO. S kapacitou GS to dává rezonanční obvod - sice zatlumený tím odporem, ale rezonanční obvod. A ten může mosfet rozkmitat - a taky se to děje, jev popsaný jako "ringing". Typická frekvence je +- 100MHz. Při dobré konstelaci může zůstat v oscilacích, což spolehlivě mosfet zničí.
Ten PNP tranzistor s diodou tvoří ochranu:
- dioda nepropouští celý kmit, ale jen jednu půlvlnu => rezonance nenastane
- tranzistor v sepnutém stavu spolehlivě zatlumí rezonanční obvod.
A tím je zapráněno ringingu.
Zkušenější kolegové mě kdyžtak opraví / upřesní.
Takže tam není a není tam ani ta dioda. Pak indukci tvoří vývody mosfetu G a S a vodivé cesty plošného spoje k IO. S kapacitou GS to dává rezonanční obvod - sice zatlumený tím odporem, ale rezonanční obvod. A ten může mosfet rozkmitat - a taky se to děje, jev popsaný jako "ringing". Typická frekvence je +- 100MHz. Při dobré konstelaci může zůstat v oscilacích, což spolehlivě mosfet zničí.
Ten PNP tranzistor s diodou tvoří ochranu:
- dioda nepropouští celý kmit, ale jen jednu půlvlnu => rezonance nenastane
- tranzistor v sepnutém stavu spolehlivě zatlumí rezonanční obvod.
A tím je zapráněno ringingu.
Zkušenější kolegové mě kdyžtak opraví / upřesní.
Budu potřebovat čas na přečtení toho článku.
Ozvu se až to nějak strávím.
Já celkově chci pochopit obecně ale i tady to konkrétní zapojení.
Článek mám rozečtený. Funguje to jinak než jsem si to představoval. Já si představoval, že přes gate a source teče proud.
Budu to číst a až to strávím zareaguji na vaše zprávy. Možná až zítra, pozítří, podle toho kolik bude času.
Ozvu se až to nějak strávím.
Já celkově chci pochopit obecně ale i tady to konkrétní zapojení.
Článek mám rozečtený. Funguje to jinak než jsem si to představoval. Já si představoval, že přes gate a source teče proud.
Budu to číst a až to strávím zareaguji na vaše zprávy. Možná až zítra, pozítří, podle toho kolik bude času.
-
Dumitru
- Příspěvky: 254
- Registrován: 11 pro 2015, 00:00
- Bydliště: Slovensko,Bratislava
- Kontaktovat uživatele:
Ahojte nechcem zakladať novu tému nakoľko sa tu tiež rieši funkčnosť mosfet driveru.
Kym pri low side drivery funkčnosť je celkom jasná nakoľko je Cgate voči zemi a tam už na základe toho koľko ampér zvládneme dodať/odobrať do Gate tak rýchlo ho aj otvoríme.
Pri high side mi nie je jasne jeden moment viď schema a to v momente keď nie je pripojená zaťaž a tak Cgate sa nabíja cez cievku a FB čo je zvyčajne niekoľko KΩ, preto mi nie je celkom jasne ako je možne zabezpečiť rýchle otvorenie Nmosu.
Kym pri low side drivery funkčnosť je celkom jasná nakoľko je Cgate voči zemi a tam už na základe toho koľko ampér zvládneme dodať/odobrať do Gate tak rýchlo ho aj otvoríme.
Pri high side mi nie je jasne jeden moment viď schema a to v momente keď nie je pripojená zaťaž a tak Cgate sa nabíja cez cievku a FB čo je zvyčajne niekoľko KΩ, preto mi nie je celkom jasne ako je možne zabezpečiť rýchle otvorenie Nmosu.
- Přílohy
-
Ale tam je ještě druhá cesta... Z toho zdroje u diody - Cbst je tam tuším od toho, aby při spínání tranzisotoru se vygenerovalo napětí vyšší pro napájení driveru než je napětí na výstupu (na tlumajzně). A to tak, že může být vyšší než Vin, aby mohl driver v poklidu ovládat tranzistor i v případě, že je malý rozdíl Vin a Vout.