Tak si to schema musíš projít krok za krokem, co se tam vlastně děje...
Takže - polarita správná:
Na J1-1 je kladné napětí oproti zemi
První PNP tranzistor (1,2,6) má bázi a kolektor spojen => je to vlastně dioda.
Touto diodou protéká proud, tedy na R2 je kladné napětí zdroje -0,7V.
Na bázi druhého PNP (3,4,5) je tedy kladné napětí. Tudíž tento tranzistor je uzavřen.
Tím je na odporu R3 nulové napětí a P-MOSFET je otevřen.
Polarita špatná:
Na J1-1 je zem.
Prvním PNP tranzistorem (dioda) neprotéká proud.
Na R2 je kladné napětí.
Tím je druhý PNP tranzistor uzavřen.
Na R3 je tedy kladné napětí. Tím je P-MOSFET uzavřen.
Funkce ochrany:
Polarita správná, ale na C1 je napětí vyšší, než 5V (resp. vyšší, než na J1-1).
Druhým tranzistorem PNP začne protékat proud (na emitoru je vyšší napětí, než na bázi).
Tím začne protékat proud i kolektorem a odporem R3.
Tím vznikne na R3 kladné napětí, které uzavře P-MOSFET.
C5 svede případné zbytky střídavého napětí na zem (případná neplecha ze spínaného zdroje).
Zbývá dodat proč. FET v tomto případě funguje jako dioda (viz. ochrana diodou proti přepólování
http://www.ebastlirna.cz/modules/Forums ... ma_497.jpg ). A je to proto, že dioda má úbytek (0,7V). I použití shottky (0,3V) je značný úbytek, pokud chci chránit něco, co je napájeno 5V z USB a má to chodit na 5V. Ve tvém případě, kde je zdroj 9V a výsledné napětí 3,3V je celá tato habaďůra naprosto zbytečná a obyčejná dioda postačí.
Pro případné studium -
FET jako dioda
Někdo mě snad doplní, případně upřesní.