Napůl proražený tranzistor

Základní principy, funkce, rovnice, zapojení - t.j. vše, co byste měli vědět, než se pustíte do praktické realizace elektronického zařízení

Moderátor: Moderátoři

Zpráva
Autor
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

Napůl proražený tranzistor

#1 Příspěvek od samponek »

Podařilo se mě napůl odprásknout KSA1381, tak že kolektor - emitor vede v jednom směru, báze - kolektor taky v jednom směru a báze - emitor vede s úbytkem 0.6V oběma směry, čím to je ?
Uživatelský avatar
rudolf02
Příspěvky: 649
Registrován: 05 zář 2012, 00:00
Bydliště: ústeckoorlicko

#2 Příspěvek od rudolf02 »

No, asi je to hloupost, ale zaujaly mě velmi malé kapacity pro vyšší napětí.
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#3 Příspěvek od samponek »

Ano, kapacity u tohoto typu jsou malé, aby to fungovalo na vysoké frekvenci.
Uživatelský avatar
rudolf02
Příspěvky: 649
Registrován: 05 zář 2012, 00:00
Bydliště: ústeckoorlicko

#4 Příspěvek od rudolf02 »

No, zkusím to upřesnit. Právě proto technologie vytváření nevlastních polovodičů na čipu s dosažením tak malé kapacity (a velkého napětí) mohla zapříčinit tento zvláštní "poloprůraz". Je vůbec tranzistor alespoň částečně funkční?
Uživatelský avatar
HF_Tech
Příspěvky: 2365
Registrován: 25 dub 2022, 00:00

#5 Příspěvek od HF_Tech »

Nic zvláštního na tom průrazu není. V jednom bodě je "svar" mezi E a C skrz bázi od lokálního tepelného přehřátí.
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#6 Příspěvek od samponek »

Tranzistor je funkční, ale jenom částečně, protože CE trochu vede z druhé strany.
Uživatelský avatar
HF_Tech
Příspěvky: 2365
Registrován: 25 dub 2022, 00:00

#7 Příspěvek od HF_Tech »

Upřímně řečeno, pokud to není 40 let starý tranzistor, tak je to známka diletantismu konstruktéra, že si neohlídal pracovní podmínky tranzistoru v zapojení a dostal se poměrně daleko mimo dovolené hodnoty.
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#8 Příspěvek od samponek »

Několikrát zajiskřily dráty a prošel nadměrný proud a potom už byl tranzistor napůl proražený :roll:
Uživatelský avatar
ondraN
Příspěvky: 944
Registrován: 16 srp 2022, 00:00
Bydliště: Roztoky

#9 Příspěvek od ondraN »

No, tak teď je to místo polovodiče třičtvrtěvodič 8O
Uživatelský avatar
Celeron
Příspěvky: 20508
Registrován: 02 dub 2011, 00:00
Bydliště: Nový Bydžov

#10 Příspěvek od Celeron »

Kdo tady pamatuje, že proti polovodičům zlejch kapitalistickejch imperialistů jsme chtěli jít dál a vyrábět celovodiče? :mrgreen:
Jirka

Proč mi nemůže všechno chodit hned ?!!
Uživatelský avatar
Mysteri
Příspěvky: 3166
Registrován: 12 bře 2008, 00:00
Bydliště: Považie - Vorošilovo

#11 Příspěvek od Mysteri »

Celeron píše:Kdo tady pamatuje, že proti polovodičům zlejch kapitalistickejch imperialistů jsme chtěli jít dál a vyrábět celovodiče? :mrgreen:

Mýslím, že všetci, čo mali v 80" rokoch už aspoň 7 a viac rokov a sa zaujímali o elektroniku, kupovali Amáro a zháňali KCečká, KFefká, odpory a kondíky po elektrách a Teslách, a tam, kde nemali ani jedno, boli odkázaní na Zásielkovú službu z Uherského Brodu..... 😉 Ten minister bol, po jeho kecoch, prvá mediálna hviezda v našej TV.... 😁
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#12 Příspěvek od samponek »

Mám tu jiný napůl proražený tranzistor IRFP4229, částečně funguje, ale má tyto hodnoty :

Měřeno multimetrem, odpor mez
GS = 16R
GD = 212R
DS = 192R
čím to je, že má jenom snížený odpory mezi elektrodami, nomálně bývají všechny zkratovaný.
masar
Příspěvky: 14452
Registrován: 03 pro 2005, 00:00

#13 Příspěvek od masar »

Protože polovodičový svět není ani tmavomodrý ani černobílý..., "nomálně".
A jaké jsou ty zbývající tři hodnoty z toho "častečně" sepnutého/rozepnutého stavu?
:wink:
samponek
Příspěvky: 3885
Registrován: 11 kvě 2015, 00:00

#14 Příspěvek od samponek »

Sepnutý stav funguje normálně až nato, že mezi gs teče velký proud kvůli těm 16R.
Něco se uvnitř pokazilo.
Uživatelský avatar
lesana87
Příspěvky: 4393
Registrován: 20 zář 2014, 00:00

#15 Příspěvek od lesana87 »

Asi se ti v té HexFET struktuře podařilo propálit jen jeden tranzistor a propojovací cesty k němu (možná také přismahnuté) ho částečně izolují od zbytku.
Odpovědět

Zpět na „Teorie“