Na jakou zátěž byste si troufli vy?

[kulikus]

Ty v datasheetu uváděné max proudy ...
Edit: Smazáno. Díky za pěkné materiály.

[Valdano]

Tady je dokumentace k návrhu desek ohledně tepelného designu pro ty vysoko proudové MOSFETy v pouzdrech LFPAK, která vychází z reálných zkušeností v mnoha testech prováděných v laboratořích NEXPERIA.

[HF_Tech]

Valdano: nemáš odkaz na nějaký materiál, který se věnuje ochraně před špičkami a "induced turn-on" na automotive spínačích?
U dlouhých kabelů a proudu 50A ochrana vychází mnohonásobně větší než samotný tranzistor.

[Valdano]

Nevím jestli to bude přesně co potřebujete, ale zkuste mrknout na toto.
Infineon: Popis jevu induced turn-on a porovnání MOSFETů z hlediska imunity proti tomu.
Ke stažení dokumentu se budete muset zřejmě na Infineonu zaregistrovat, ale registrace i následné stažení je zdarma.

STMicroelectronics AN4798.

1. Parazitní zapnutí (Induced Turn-on)

Metody potlačení:

Aktivní Millerova svorka (Active Miller Clamp): Speciální obvod v budiči, který po vypnutí tranzistoru zkratuje gate přímo k zemi (nebo zápornému napětí), aby Millerův proud nezvedl napětí.

Záporné předpětí (Negative Gate Drive): Vypínání tranzistoru do záporných hodnot (např. -5 V) namísto 0 V. Tím se vytvoří větší bezpečná rezerva vůči prahovému napětí.

Snížení odporu Rg(off): Použití diody paralelně k hradlovému odporu pro rychlejší vybití náboje při vypínání.

2. Špičky (Transients)

Metody potlačení:

TVS Diody (Transil): Nezbytnost na napájecích linkách i v blízkosti spínačů pro ořezání špiček přesahujících Vds(max).

Snubbery (RC články): Absorbují energii parazitních indukčností a tlumí překmity (ringing) při spínání.

Aktivní svorkování (Active Clamping): Využívá se zejména u spínání indukčních zátěží, kde se tranzistor při vypínací špičce záměrně částečně pootevře, aby energii bezpečně disipoval v lineárním režimu.

[HF_Tech]

Tohle AI tlachání je celkem na nic. Hledám nějakou kuchařku jako mívají analog devices nebo linear technogy v aplikačních poznámkách.
Jinak mám v zapojení active miller clamp a RCD snubber, akorát je to strašně velké.

[Valdano]

Je to popsáno v tom prvním odkazovaném dokumentu od Infineonu včetně grafů, ukázek zapojení a do jisté míry i v podobě jakési kuchařky, kterou zmiňujete. Ohledně minimalizace jsou tam náznaky v podobě volby nových MOSFEtů řady OptiMOS 6 od Infineonu, které dle tam uvedeného mají vysokou míru imunity proti parazitnímu spínání. Druhý odkazovaný dokument STMicroelectronics AN4798 jsou aplikační poznámky mimo jiné ohledně špiček.

[Mysteri]

My s tím vyrábame, v pohode. A tú kopu kecov..... Nechápem.....
P.S. Mimochodom ,,Záporné předpětí (Negative Gate Drive)" , s tým musí rátať, obrazne povedané, aj absolvent tretej stretávky pionierskeho krúžku rádioelektroniky..... Žiaľ, to už neexistuje roky........ A preto absolventi VŠ, ktorí nastúpia u nás, ako ,,kvalitári", prípadne ,, výrobný inžiniering" vedia o tom hovno ! A potom to tak vo výrobe vizerá......
Ma už skurvene fascinuje, ako sa všade riešia veci už pradávno vyriešené.....

[samec]

Valdano, ak si uvedomíš, že medzi jednotlivými elektródami tranzistora sú nejaké kapacity (nájdeš ich v datašite) a dokážeš spočítať kapacitný delič napätia, tak ti musí byť jasné, čo sa v obvode deje a čo s tým máš urobiť. Nejaké porekadlá a pranostiky k tomu vážne nepotrebuješ.

[Valdano]

Já to nepotřebuji. Spíš poraďte HF_Techovi. Jen samotné datasheety mu zřejmě nestačí. Pokud by mu stačily pak by se na to zřejmě neptal.

[HF_Tech]

Mně to funguje, jenom to potřebuju zmenšit.
Pokud to charakter zátěže dovolí, tak stačí dát dva antisériově spojené transily přes tranzistor a tím s část energie ze špičky zamaří v zátěži a ochrana pak může být menší.

To je tenhle udělátor: http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na ... 67#1408067