teplotní závislost parametrů mosfetu - vyřešeno

Zpráva

kybler · #1 Příspěvek od **kybler** » 13 kvě 2009, 20:01

Zdravím, právě navrhuju VF zesilovač s dualgate mosfetem BF998, má cenu řešit u toho teplotní stabilizaci pracovního bodu, nebo jsou proti změnám parametrů s teplotou mosfety imunní? Výrobce to v datasheetu neuvádí.
Na jednom gejtu nastavení pracovního bodu, na druhý přivedeno VF napětí s nulovým DC potenciálem, zesílení 10x (20dB) při 10,7MHz, na stabilizaci napájení si dám obzvlášť záležet.
Při rozdílu teplot -20 až +50°C se smí zesílení změnit maximálně o +/-5%.
Díky.

ZdenekHQ · #2 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 13 kvě 2009, 21:25

Nikdy jsem termistor ve VF zesu neviděl.

Mimochodem - on se při správným zapojení "stabilizuje" sám.

kybler · #3 Příspěvek od **kybler** » 13 kvě 2009, 21:42

Nemyslím termistorem, ale klasickej odpor s kondrem v "emitoru", kdybych je vynechal, umožní mi to udělat celou jednu větev 4V pro G2 několika tranzistorů na různých místech, se stabilizací bych se toho asi trochu obával.

EDIT:
Už to mám, když tam dám nějakou rozumnou hodnotu odporu, nic tím neskazím, takže vyřešeno.

;

ZdenekHQ · #4 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 13 kvě 2009, 22:14

Ten odpor v tom emitoru je poměrně dost nutnej, pokud ovšem nemáš zdroj zápornýho napětí....

kybler · #5 Příspěvek od **kybler** » 13 kvě 2009, 22:18

ZdenekHQ píše:Ten odpor v tom emitoru je poměrně dost nutnej, pokud ovšem nemáš zdroj zápornýho napětí....

Tento tranzistor je při nulovým Ug zavřený a při zvyšování se otvírá.
Tuším, že se mu říká s obohacovaným kanálem nebo tak nějak. Jsem dlouhodobej samouk, tak mě za to prosím nekamenujte, ta odborná mluva jde poněkud mimo mě...

ZdenekHQ · #6 Příspěvek od **ZdenekHQ** » 13 kvě 2009, 22:28

Máš pravdu, já jsem zas byl myšlenkama u úplně jinýho FEtu....