step down, vysoké prúdy

Problémy s návrhem, konstrukcí, zapojením, realizací elektronických zařízení

Moderátor: Moderátoři

Odpovědět
Zpráva
Autor
Uživatelský avatar
iginoiii
Příspěvky: 364
Registrován: 01 črc 2010, 00:00
Bydliště: Bratislava

step down, vysoké prúdy

#1 Příspěvek od iginoiii »

Dobrý neskorý večer prajem,

potreboval by som step down converter, vstupné napätie 20-60V, výstupné 15V, pre prúdy do 30A. Samozrejme, som zmierený s tým že mám dosť náročné požiadavky, takže pri najhoršom si viem predstaviť aj riešenie 6 rovnakých modulov na 5A. Ale priamo obvody na to, sú buď nedostupné, alebo v datasheete totálne divne zapojené, alebo v Uin max = 40V. Tak sa chcem spýtať, či ste niečo podobné v blízkej minulosti nevideli? Respektíve či nemáte nejaké doporučenie.

ešte malá vsuvka, stabilita výstupného napätia nie je vôbec doležitá, napätie bude ďalej pokračovať do lineárne pracujúceho regulátora.

Takže obvyklý dotaz na EB, výkonné, ľahko postaviteľné, s presným návodom a ideálne zadarmo :D, to na odľahčenie. Hľadal som už asi 12 hodín čistého času, a skúsim voliť túto možnosť, ktorá mi už veľa krát pomohla.



Vďaka za čas a informácie, s pozdravom, i
Uživatelský avatar
WLAB
Příspěvky: 867
Registrován: 13 zář 2005, 00:00
Bydliště: Praha

#2 Příspěvek od WLAB »

Paralelnimu razeni zpetnovazebne rizenych smps bych se radeji vyhnul....
Zkus stranky Linearu, obvody na 60V urcite maji. Hledej neco, co ma vnejsi spinaci prvek "external switch". A pro ty proudy by to chtelo neco, co podporuje aktivni switch misto diodoveho spinace. Kdyz se ti nebude nic libit, muzes si takovy smps postavit z nejakeho haldbridge driveru, fetu a vhodneho rizeni.
Uživatelský avatar
procesor
Příspěvky: 5286
Registrován: 02 říj 2009, 00:00
Bydliště: PO

#3 Příspěvek od procesor »

Fázovo posunuté dva (lepšie štyri) fety s indukčnosťami a so spoločným riadením.
Uživatelský avatar
WLAB
Příspěvky: 867
Registrován: 13 zář 2005, 00:00
Bydliště: Praha

#4 Příspěvek od WLAB »

Prinos jsou uz i dve faze. Obvody na to existuji.
Uživatelský avatar
Crifodo
Příspěvky: 14779
Registrován: 11 říj 2005, 00:00

#5 Příspěvek od Crifodo »

Možná by na to šlo použít upravený PC zdroj, s přemotaným primárem a jiným zdrojem 5V standby.
Uživatelský avatar
Galileo
Příspěvky: 77
Registrován: 09 lis 2009, 00:00

#6 Příspěvek od Galileo »

Tady je trocha inspirace http://www.danyk.wz.cz/sniz2f.html
Uživatelský avatar
iginoiii
Příspěvky: 364
Registrován: 01 črc 2010, 00:00
Bydliště: Bratislava

#7 Příspěvek od iginoiii »

vďaka všetkým, dosť mi to pomohlo, lebo ako vidím som sa uberal zlou cestou hľadania nejakej súčiastky cez ktorú by som to spravil, a ako vidím pointa je niekde inde pri týchto výkonoch. Takže zvoliť správne NFET tranzistory(vyhovujúce napatie, prúd, čo najnižší odpor), a tak nejak paralelne hladať budenie tranzistorov a riadenie, ideálne v jednom obvode. No, tak na to reálne asi nemám, ale ved uvidím, zas mám nové podnety čo hľadať. Vďaka, s pozdravom, i...
Uživatelský avatar
iginoiii
Příspěvky: 364
Registrován: 01 črc 2010, 00:00
Bydliště: Bratislava

#8 Příspěvek od iginoiii »

Dobrý deň opäť, mal by som ďalšiu otázku ohľadom problému. Našiel som si drivery k MOS tranzistorom, je ich veľké množstvo na výber, ale nerozumiem jednu vec. Napr. tento driver

http://zefiryn.tme.pl/dok/a03/irs2184.pdf

Output source/sink current capability 1.4 A/1.8 A

chápem to ako prudovú zaťažiteľnosť. A moja otázka znie, že či tento údaj ma limituje pri 30 ampérovom meniči.

Aebo ma tento údaj vôbec nezaujíma, pretože na budenie gate MOSFET tranzistoru nepotrebujem viac menej žiadny prúd?

vďaka, s pozdravom, i
Andrea
Příspěvky: 9340
Registrován: 07 zář 2007, 00:00

#9 Příspěvek od Andrea »

Budicí proud určuje, jak rychle dokážeš ten MOSFET sepnout. Že k sepnutí MOSFETu není potřeba proud, je pohádka pro děti, už se to tu probíralo.
Uživatelský avatar
iginoiii
Příspěvky: 364
Registrován: 01 črc 2010, 00:00
Bydliště: Bratislava

#10 Příspěvek od iginoiii »

ok vďaka, ako pointe čo ste napísali chápem. Moja otázka bola výrazne hlúpejšia :), že či závisí prúd prechádzajúci regulátorom, s maximálnym prúdom driveru. Ale z odpovede chápem že nie. Tak ale dúfam, že výstupný prúd 1A musí MOSFET tranzistoru bohate stačiť na vybudenie nie?
Andrea
Příspěvky: 9340
Registrován: 07 zář 2007, 00:00

#11 Příspěvek od Andrea »

To záleží na kapacitách toho MOSFETu a na pracovní frekvenci.
Uživatelský avatar
iginoiii
Příspěvky: 364
Registrován: 01 črc 2010, 00:00
Bydliště: Bratislava

#12 Příspěvek od iginoiii »

vďaka opäť, už objednávam súčiastky , hlavne tie výkonové tranzistory sú za kruté ceny, ale čo už. Takže túto tému budem asi raz za čas oživovať, lebo tak nejak tuším už dopredu že bez pomoci to nezvládnem :). Ale moja predbežná idea je tak nejak, že pomocou TL5001ID,TL594,UC3854 budem snímať Vout a nastavovať PWM, z toho pôjde výstup do driveru, a ten bude budiť synchrónny znižovač, respektíve keby viem nejak posunúť fázu, tak bude budiť v synchrónny viac fázový znižovač. Je to v podstate to čo ste mi tu viacerí poradili?

s pozravom, i
Uživatelský avatar
WLAB
Příspěvky: 867
Registrován: 13 zář 2005, 00:00
Bydliště: Praha

#13 Příspěvek od WLAB »

iginoiii píše:Moja otázka bola výrazne hlúpejšia :), že či závisí prúd prechádzajúci regulátorom, s maximálnym prúdom driveru. Ale z odpovede chápem že nie. Tak ale dúfam, že výstupný prúd 1A musí MOSFET tranzistoru bohate stačiť na vybudenie nie?


Zavisi neprimo. Protoz ten "vetsi" proud potrebujes "vetsi" MOSFET, ktery ma take vetsi kapacity a potrebuje "silnejsi" buzeni.
A nejde jen o ty kapacity, ale tez o napeti, na ktere se ony kapacity musi pri sepnuti/rozepnuti nabit. U mosfetu se uvadi paramter total gate charge (Qc), ktery rika jaky naboj se musi do tranzistoru natlacit pro dosazeni stavu, kdy je prohlasen za sepnuty. Z proudu, ktery mas k dispozici a z Qc das dohromady zhruba cas, za ktery jsi schopen dany naboj do fetu natlacit. Udaj Qc je ale platny pouze pro podminky u neho specifikovane, jedna se predevsim o Uds v rozepnutem stavu.
Naposledy upravil(a) WLAB dne 08 lis 2010, 16:23, celkem upraveno 1 x.
Andrea
Příspěvky: 9340
Registrován: 07 zář 2007, 00:00

#14 Příspěvek od Andrea »

Ten synchronní usměrňovač se většinou spíná při nulovém (lehce záporném) Uds, takže se u něj neuplatňuje Millerův zjev a tudíž nemusí mít tak silný budič jako ten horní tranzistor.
Uživatelský avatar
iginoiii
Příspěvky: 364
Registrován: 01 črc 2010, 00:00
Bydliště: Bratislava

#15 Příspěvek od iginoiii »

tak pekne pokračujem podľa plánu, pri cene 10A cievok(indukčností) som sa rozhodol, že si skúsim objednať len jadrá, a naviniem si cievku, pretože drôtu mam požehnane. Jadro cievky je podľa doporučenia feritové, ale zacínam mať pocit, že to je to posledné čo som spravil správne :D. Objednal som si toto jadro:

http://www.tme.eu/html/EN/toroidal-core ... pelny.html

TN25/15-3F3 3F3 Al [nH] =1840

pri navíjaní som postupoval tak trošku experimentálne, a podarilo sa mi navinúť cievku tak, že má identickú indukčnosť ako kupovaná, a výrazne menší prechodový odpor(pretože používam výrazne hrubší drôt). Vložil som túto cievku do meniču (zatiaľ funguje len ako delič dvoma) a výsledok sklamanie. Pôvodná cievka z GM, 1500uH a 1A, má pri krátkodobom pretažení 2A účinnosť vyše 80 percent(a to ešte čakám na lepšie tranzistory, plus half bridge driver, takže očakávam zlepšenie ešte). S touto novou cievkou, taktiež +-1500uH a účinnosť padla na necelých 70 percent. A nerozumiem, kde som to stratil. Nič som nemenil, len cievku, a po zmene za vlastnú cievku sa výstupný kondenzátor prehrieva.

Cievka z GM má žlté jadro, toto čo som kúpil, viď obrázok, je biele. Plus v GM cievke je ja neviem odhadom 100 závitov, a mne na bielom na tú istú L(meranú ručným merákom) stačilo 25-30 .

edit: in 20V 0.96A out 8.83V 1.62A eff: 74% moja namotaná cievka
in 20V 0.8A out 8.35V 1.52A eff: 79% GM cievka

prepáčte, toto editujem, som to premeral znova, som mal jeden kondik nezapojený. Toto už nie je taký výrazný rozdiel, ale aj tak mi nie je jasné, prečo cievka s výrazne nižším vnútorným odporom má o 5 percent horšiu účinnosť

Vďaka za prečítanie, i
Odpovědět

Zpět na „Řešení problémů s různými konstrukcemi“