Buzení polomostu
Moderátor: Moderátoři
-
Návštěvník
Buzení polomostu
-
PavelFF
Napiš podrobnosti , na jaký výkon a napětí to má být.
Jedna možnost, jak to budit přes trafo bez dalších driverů je použít PWM regulátor SG3525, který má výstupy dimenzované pro přímé buzení FETů(menších výkonů)
Inspiraci najdeš např. tady :
http://www.qrp4u.de/index_en.html
potom klikni na :
250 W S.M.P.S. with Power FETs
Stavěl jsem podle toho svůj první pokusný spínaný zdroj a chodí to.
Zrovna v tom článku jsou ale trochu rozpory ohledně počtu závitů traf.
Spočítat budicí trafo není problém, budeš-li chtít, můžu poradit. Problém je spíš ho vyrobit. Dá se výhodně použít materiál ze starých PC AT zdrojů.
Jak to je s výkonovým trafem? Jak víš, že má být zrovna na 110kHz?
-
Návštěvník
a kdyby jsi byl té dobroty i mi ke konkrétnímu jádru zpočítal ty závity. transformační poměr 1:1 a f=110KHz (1prim.+2sec.)díval jsem se na ten SG3525,ale nezjistil jsem jestli má funkci deattime což právě 494 má.je možné připojit to trafo přímo na výstupy toho 494?právě proto jsem tam cpal ten IR2113 a k oddleni právě to trafo.na nějaký ťamanský stránce jsem našel http://www.165v.com/165v/edit/UploadFil ... 5.gif.napiš co si myslíš snad to nějak vyřešíme.Dik.
-
PavelFF
-
Návštěvník
-
PavelFF
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf
Pokud budeš chtít použít trafo, nedá výstup z TL494 dostatečný proud a stejně budeš muset nějaký posilovač použít.
SG3525 má samozřejmě nastavitelný deadtime. Má ale jen jeden chybový zesilovač. Doufejme, že stačí vybudit tak velké FETy bez posilovače(?).
Ještě je tu problém, že celý řídicí obvod musí být v případě použití IR2113 spojen se síti, což může vadit. Je to protivné hlavně při oživování.
V GESU mají E jádra zbytečně veliká a toroidy se blbě motají.
Já používám E jádro z budicího trafa z AT zdrojů (bez mezery, sloupek 4x5mm) . V tom případě by ti stačilo asi kolem 15 závitů na jedno vinutí pro 110kHz. Může to být i míň i víc, liší se pak magnetizační proud. Je dobré změřit indukčnost vinutí nebo aspoň odběr proudu ze zdroje bez připojených konců, jestli trafo nežere víc proudu, než je rozumné (velký magnetizační proud).
Magnetická vazba mezi vinutími by měla být co nejtěsnější, což je v rozporu s požadavky na dobrou elektrickou izolaci mezi vinutími.
110kHz je dost vysoko i na použité IGBT. Musí to být tak vysoko?
-
Návštěvník
-
PavelFF
Jenom od určitého kmitočtu je výhodnější používat MOSFETy a ne IGBT, protože MOSFETy mají menší spínací ztráty, zatímco IGBT mají menší ztráty ve vodivém stavu.
110kHz je už kmitočet spíš pro MOSFETy, ale to záleží i na konkrétní aplikaci. Kterou bedlivě tajíš.
-
Návštěvník
Tie MOSFETy alebo IGBTčka môžeš pokojne budiť aj tým IR2113. Ak sa rozhodneš pre iné riešenie tak nezabúdaj že keď chceš mosfet Vypnúť musíš z jeho hradla odobrať náboj v čo najkratšom čase čiže pri NMOS gate spojiť s source !!! Medzi vypnutím 1tranzistoru a zopnutím 2 je treba dodržať určitý čas kedy budú vypnuté obidve !!! (vypínacie časy sú v katalógu) V opačnom prípade ich budeš velmi často často meniť !!! A s tým mám už aj osobné skúsenosti !!! Takže obyčajný astabilný obvod sa ako budič nehodí !